一种GaN基HEMT器件结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种GaN基HEMT器件结构及其制作方法，其中，栅极图形层包括栅极环阵列与栅极线组，栅极环阵列包括呈六角阵列排布的多个六边形栅极环，栅极线组包括栅极主线及多条栅极子线，栅极环组中的任意相邻两个六边形栅极环之间通过一栅极子线单元连接，源漏极图形层包括六边形电极板及六边形电极环，六边形电极环在栅极子线单元的经过路径上方具有缺口。本发明专利技术中，一方面由于封闭的六边形栅极环完全隔断了源极与漏极，可减少晶体管的漏源泄漏；另一方面，由于六边形栅极环四周的六边形电极环具有缺口，为非封闭式，可在制作六边形栅极环的层时就将六边形栅极环引出，有利于降低后续布线的复杂度与难度，并有利于缩小芯片尺寸与节约成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，涉及一种gan基hemt器件结构及其制作方法。

技术介绍

1、氮化镓(gan)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，简称hemt)是一种基于氮化镓材料的先进功率半导体器件，具有高电子迁移率、高功率密度、小体积和高集成度的特点。gan hemt利用algan/gan异质结构，通过在gan上生长algan薄膜时产生的压电效应，使得大量电子聚集在界面处，形成高迁移率的二维电子气(2deg)层，这一层作为电流路径。由于二维电子气的高迁移率，gan hemt的导通电阻更小，输出电容和栅极电容也更小，使得其在高频应用中具有更高的开关速度和更低的开关损耗。

2、gan hemt的布局主要有两种，一种是条带布局，一种是六边形单胞布局。在标准的条带布局中，栅极、漏极以及源极是平行的条带，其结束于有源区域的界限附近或延伸超过有源区的界限。而在六边形单胞布局中，源极(或漏极)、栅极、漏极(或源极)由内而外依次设置，其中，中心的源极(或漏极)呈六边形板状，中间的栅极与外层的漏极(或源极)均呈六边形本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaN基HEMT器件结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的GaN基HEMT器件结构的制作方法，其特征在于：所述缺口的宽度大于所述栅极子线单元的宽度。

3.根据权利要求1所述的GaN基HEMT器件结构的制作方法，其特征在于：所述第一方向与所述第二方向相互垂直，或者所述第一方向与所述第二方向呈60°。

4.根据权利要求1所述的GaN基HEMT器件结构的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的GaN基HEMT器件结构的制作方法，其特征在于：所述栅极主线朝向所述栅极环阵列的一侧延伸出至少...

【技术特征摘要】

1.一种gan基hemt器件结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的gan基hemt器件结构的制作方法，其特征在于：所述缺口的宽度大于所述栅极子线单元的宽度。

3.根据权利要求1所述的gan基hemt器件结构的制作方法，其特征在于：所述第一方向与所述第二方向相互垂直，或者所述第一方向与所述第二方向呈60°。

4.根据权利要求1所述的gan基hemt器件结构的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的gan基hemt器件结构的制作方法，其特征在于：所述栅极主线朝向所述栅极环阵列的一侧延伸出至少一第一栅极块，有多个所述第三接触部布设于所述第一栅极块上。

6.根据权利要求4所述的gan基hemt器件结构的制作方法，其特征在于：所述第一金属线的宽度及所述第二金属线的宽度均大于所述栅极子线的宽度，所述栅极金属线的宽度大于所述栅极主线的宽度。

7.根据权利要求4～6任意一项所述的gan基hemt器件结构的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：

8.根据权利要求7所述的gan基hemt器件结构的制作方法，其特征在于：所述第一金属块与所述第二金属块在所述第二方向上交替排列一次或多次。

9.根据权利要求7所述的gan基hemt器件结构的制作方法，其特征在于：所述栅极金属线朝向所述第一金属线或所述第二金属线的一侧延伸出至少一第二栅极块，有多个所述第三导电通孔布设于所述第二栅极块上，所述栅极金属块遮盖于所述第二栅极块上方。

10.根据权利要求7所述的gan基hemt器件结构的制作方法，其特征在于：所述第一焊盘孔的开口面积、所述第二焊盘孔的开口面积与所述第三焊盘孔的开口面积均大于所述六边形栅极环所围成...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭昊炆，
申请(专利权)人：上海新微半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：