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本发明提供一种GaN基HEMT器件结构及其制作方法，其中，栅极图形层包括栅极环阵列与栅极线组，栅极环阵列包括呈六角阵列排布的多个六边形栅极环，栅极线组包括栅极主线及多条栅极子线，栅极环组中的任意相邻两个六边形栅极环之间通过一栅极子线单元连接...
该专利属于上海新微半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微半导体有限公司授权不得商用。

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