一种差压传感器敏感结构制造技术

本发明专利技术涉及压力传感器技术领域，提供一种差压传感器敏感结构，其包括ASIC调理芯片、上基板、下基板和感压膜，上基板和下基板相对且间隔设置，ASIC调理芯片设于上基板背离下基板的一侧，感压膜设于上基板和下基板之间，上基板、感压膜和下基板键合连接，上基板和感压膜之间形成第一腔室，感压膜和下基板之间形成第二腔室；位于第一腔室内的上基板的下电极与感压膜的第一电极之间形成上电容Ct；位于第二腔室内的下基板的上电极与感压膜的第二电极之间形成下电容Cb；其中，感压膜上开设有隔离槽。本申请可以对封装应力和温度应力进行有效隔离的，从而抑制机械共模误差，提高敏感结构的一致性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及压力传感器，尤其涉及一种差压传感器敏感结构。

技术介绍

1、石英压力传感器作为一种高精度mems压力传感器，具有体积小、功耗低、精度高、温漂系数小等优势。

2、石英电容差压传感器是基于差动电容原理，以石英基膜作为感压元件，石英基膜两面感受外界输入的两路压力，当外界两路压力发生改变时，引起感压膜发生应变，从而引起与感压膜和上、下电极构成的差动电容发生改变，从而实现压力测量。石英电容差压表头与asic调理芯片实现芯片级集成，直接输出数字信号，与高速数字电路兼容方便，能够有效抑制共模误差，针对高精度大气数据系统和工业流量控制领域，对高精度差压传感器的迫切需求，提出一种基于差动电容原理的石英电容压力传感器，与金属电容、陶瓷电容和硅电容相比，具有体积小、集成度高的优点，通过设计差动电容结构的压力敏感结构，实现高精度差压测量，通过锚点限位凸台精确控制差动电容间隙，进而实现标称电容的精确控制。具有功耗小、抗干扰能力强的优点，成为未来高精度差压传感器的发展趋势。石英电容差压传感器量程覆盖：+-1kpa~+-50mpa，全温综合精度：0.075%f本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种差压传感器敏感结构，其特征在于，包括ASIC调理芯片、上基板、下基板和感压膜，所述上基板和所述下基板相对且间隔设置，所述ASIC调理芯片设于所述上基板背离所述下基板的一侧，所述感压膜设于所述上基板和所述下基板之间，所述上基板、所述感压膜和所述下基板键合连接，所述上基板和所述感压膜之间形成第一腔室，所述感压膜和所述下基板之间形成第二腔室；位于所述第一腔室内的所述上基板的下电极与所述感压膜的第一电极之间形成上电容Ct；位于所述第二腔室内的所述下基板的上电极与所述感压膜的第二电极之间形成下电容Cb；其中，所述感压膜上开设有隔离槽。

2.根据权利要求1所述的差压传感器敏感结构...

【技术特征摘要】

1.一种差压传感器敏感结构，其特征在于，包括asic调理芯片、上基板、下基板和感压膜，所述上基板和所述下基板相对且间隔设置，所述asic调理芯片设于所述上基板背离所述下基板的一侧，所述感压膜设于所述上基板和所述下基板之间，所述上基板、所述感压膜和所述下基板键合连接，所述上基板和所述感压膜之间形成第一腔室，所述感压膜和所述下基板之间形成第二腔室；位于所述第一腔室内的所述上基板的下电极与所述感压膜的第一电极之间形成上电容ct；位于所述第二腔室内的所述下基板的上电极与所述感压膜的第二电极之间形成下电容cb；其中，所述感压膜上开设有隔离槽。

2.根据权利要求1所述的差压传感器敏感结构，其特征在于，所述感压膜上设有沿自身中线面对称的第一隔离槽和第二隔离槽，所述第一隔离槽设于所述感压膜朝向所述上基板的一侧，且位于所述第一腔室内；第二隔离槽设于所述感压膜朝向所述下基板的一侧，且位于所述第二腔室内。

3.根据权利要求2所述的差压传感器敏感结构，其特征在于，所述第一隔离槽和所述第二隔离槽呈环形设置，所述第一隔离槽间隔设置于第一电极的外周侧，所述第二隔离槽间隔设置于所述二电极的外周侧。

4.根据权利要求2所述的差压传感器敏感结构，其特征在于，所述第一隔离槽或所述第二隔离槽的侧壁与水平面之间的夹角为α，其中，52°≤α≤90°。

5.根据权利要求1-4任一项所述的差压传感器敏感结构，其特征在于，所述上基板、所述感压...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖兴才，吴黎明，汤一，张学红，刘豪，王凡，丁聪雨，黄成意，种阳，
申请(专利权)人：北京晨晶电子有限公司，
类型：发明
国别省市：