【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体晶圆生产，尤其涉及一种刮头、刮刀装置及外延尾气处理设备。
技术介绍
1、晶圆外延处理是一种半导体制造过程中的关键步骤，其目的是在晶圆表面形成一层单晶薄膜。这一过程通常在特定的外延反应器中进行，通过化学气相沉积（cvd）或分子束外延（mbe）等技术实现。在这一过程中，晶圆被放置于反应器中，通过引入含硅源的气体，如硅烷（sih4）和氢气（h2），在高温下进行化学反应，使硅原子沉积在晶圆表面，形成外延层。此外，外延过程中还可能产生氯化氢（hcl）、四氯化碳（tcs）等副产品，这些气体需要被有效处理以避免对环境和设备造成污染。
2、在晶圆外延处理过程中，由于化学反应的复杂性，会产生一些污染物和杂质，如二氧化硅（sio2）。这些污染物会在外延尾气流通管道的内壁上粘附，随着时间的推移，粘附物会逐渐积累，导致管道内壁的横截面积减小，从而影响气体流动。这种堵塞现象不仅会降低尾气处理效率，还可能引起气体流速不稳定，进而导致外延反应器腔室压力波动，产生微粒污染，最终影响晶圆的质量和产量。
3、为了解决上述粘附物堵塞问...
【技术保护点】
1.一种刮头，其特征在于，所述刮头包括：
2.根据权利要求1所述的刮头，其特征在于，所述杆部的数量为多个，每个杆部均从所述中心轴线上的同一点处开始沿着所述环状部的径向延伸至所述环状部的内表面。
3.根据权利要求2所述的刮头，其特征在于，所述杆部的数量为三个并且在所述环状部的周向上均匀分布。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的刮头，其特征在于，所述刮头由铜合金制成。
5.根据权利要求4所述的刮头，其特征在于，所述铜合金中的铜的质量百分比介于78.5%至81.5%之间。
6.根据权利要求2或3所述的刮头，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种刮头，其特征在于，所述刮头包括：
2.根据权利要求1所述的刮头，其特征在于，所述杆部的数量为多个，每个杆部均从所述中心轴线上的同一点处开始沿着所述环状部的径向延伸至所述环状部的内表面。
3.根据权利要求2所述的刮头，其特征在于，所述杆部的数量为三个并且在所述环状部的周向上均匀分布。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的刮头，其特征在于，所述刮头由铜合金制成。
5.根据权利要求4所述的刮头，其特征在于，所述铜合金中...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢崇志，贾帅，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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