【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种根据独立权利要求前序部分的半导体装置，还涉及一种用 于制造这样的半导体装置的方法。
技术介绍
关于电子设备，通常应用所谓的后备电容器(back-up capacitor)或緩冲电 容器，后备电容器或緩冲电容器多半需要置于特定部件附近，并且其任务是过 滤电源线中的短电流脉冲。这些后备电容器尤其对于集成电路是通用的，且可 能是不可或缺的。因此，例如，随着处理器和其它逻辑电路的同步周期可能周期性出现很高 的电流峰，在所述电流峰中，内部晶体管是同时连通的。若不緩沖该部件附近 的电源，则根据欧姆定律，该电流脉冲将电源线上导致高电压降。这会导致操 作电压的短暂击穿，这就意味着可能无法保证该部件的可靠操作。在另一应用中，使用了后备电容器，以在检测部件上的电压值时补偿由该 部件从信号自身移除的电荷量。通过这种方式，部件的短电流脉冲不会导致大 的电压改变。目前，后备电容器和緩冲电容器被设计为分立式无源部件，所述分立式无 源部件中实现一个或多个电容器。这些电容器聚集在集成电路周围。由于往往 需要20个或更多这样的分立部件，所以对于表面的需求是相当大的。随着电子部件...
【技术保护点】
一种半导体装置，具有布置在衬底（１）上的集成电路（２），其中，所述集成电路（２）被构造在所述衬底的前侧，并且所述集成电路（２）连接有至少一个电容器（２０），并且所述至少一个电容器形成在所述衬底（１）的背面，为沟槽（３）中的单纵深结构，其特征在于： 存在至少两个沟槽（３），并且设置有第一组平行沟槽（２１）和第二组平行沟槽（２２），其中，所述第二组的沟槽（２２）相对于所述第一组的沟槽（２１）呈横向布置，优选是与所述第一组的沟槽（２１）垂直布置。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：N马伦科，
申请(专利权)人：弗劳恩霍弗应用技术研究院，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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