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本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其中所述半导体装置具有布置在衬底（１）上的集成电路（２）。所述集成电路（２）构造在所述衬底的前面且至少一个电容器（２０）连接到所述集成电路，其特征在于，所述至少一个电容器被设计为沟槽（３）中的单纵深结构...
该专利属于弗劳恩霍弗应用技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过弗劳恩霍弗应用技术研究院授权不得商用。

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