掺锗电荷俘获层、相关器件、相关系统和相关方法技术方案

本公开的技术总体涉及半导体器件领域。更具体地，涉及包括电荷俘获层的存储元件及其制造系统和方法。用于形成存储元件的电荷俘获层的方法，包括以下步骤：将衬底提供到反应室中；执行一个或多个循环，循环包括铪前体脉冲；可选地，锆前体脉冲；氧反应物脉冲；锗掺杂剂脉冲；并且其中，作为所述一个或多个循环的结果，在所述衬底上形成包括一个或多个掺锗氧化铪(HfO<subgt;2</subgt;)膜和/或一个或多个掺锗铪锆氧化物(HZO)膜的电荷俘获层。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体涉及半导体器件领域。更具体地，涉及存储元件的掺锗电荷俘获层及其制造方法和系统。

技术介绍

1、包含在存储元件内的电荷俘获层是数据存储和检索的基本部件，但也会带来影响器件性能和可靠性的不同挑战。这些问题源于材料特性、电气特性和操作条件的复杂相互作用。与电荷俘获层相关的一些问题包括固有的制造差异、使用期间的逐渐退化和电荷泄漏。尤其是半导体器件(例如存储元件)的不断缩小，增加了电荷泄漏问题，其中随着时间的推移，捕获的电荷逃逸绝缘层。较低效的电荷俘获和释放对存储器件(例如闪存)的写入和擦除效率具有重要影响。此外，对于紧密封装的高密度存储器阵列，由于操作存储器单元到相邻存储器单元的不希望的电荷转移，可以观察到串扰和干扰效应，导致错误的数据读取或数据修改。因此，需要改进包括电荷俘获层的存储元件的制造，以避免上述问题，例如电荷泄漏，并获得一致且可靠的半导体器件。

技术实现思路

1、提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍一些概念。这些概念在以下公开的示例实施例的详细描述中被进一步详细描述。本专利
技术实现思路
不旨在标识本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于形成存储元件的电荷俘获层的方法，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一种或多种锗掺杂剂由以下通式(I)或(II)表示，

3.根据权利要求2所述的方法，其中，Q1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6,Q7,Q8,Q9,Q10各自独立地选自氢、卤素、C1-8烷基、C2-8烯基、N(R1)2、(R2)2NR3N(R4)2、C1-8烷氧基、杂环C1-8烷基、C3-8环烷氧基、C3-8环烷基、C6-10芳基、(R6R7N)(R8R9N)C＝N-R10；其中每个R1、R2和R4独立地是氢、C1-8烷基、C2-8烯基或Si(R5)3；其中每个R3是C1...

【技术特征摘要】

1.一种用于形成存储元件的电荷俘获层的方法，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一种或多种锗掺杂剂由以下通式(i)或(ii)表示，

3.根据权利要求2所述的方法，其中，q1,q2,q3,q4,q5,q6,q7,q8,q9,q10各自独立地选自氢、卤素、c1-8烷基、c2-8烯基、n(r1)2、(r2)2nr3n(r4)2、c1-8烷氧基、杂环c1-8烷基、c3-8环烷氧基、c3-8环烷基、c6-10芳基、(r6r7n)(r8r9n)c＝n-r10；其中每个r1、r2和r4独立地是氢、c1-8烷基、c2-8烯基或si(r5)3；其中每个r3是c1-8烷基；其中每个r5独立地是氢或c1-8烷基；并且其中(r6r7n)(r8r9n)c＝n-r10是1,3,4,6,7,8-六氢-2h-嘧啶并[1,2-a]嘧啶。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，q1,q2,q3,q4,q5,q6,q7,q8,q9,q10各自独立地选自氢、卤素、c1-4烷基、c2-4烯基、n(r1)2、(r2)2nr3n(r4)2、c1-4烷氧基、杂环c1-4烷基、c3-8环烷氧基、c3-8环烷基、c6-10芳基、(r6r7n)(r8r9n)c＝n-r10；其中每个r1、r2和r4独立地是氢、c1-4烷基、c2-4烯基或si(r5)3；其中每个r3是c1-4烷基；其中每个r5独立地是氢或c1-4烷基；并且其中(r6r7n)(r8r9n)c＝n-r10是1,3,4,6,7,8-六氢-2h-嘧啶并[1,2-a]嘧啶。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一种或多种锗掺杂剂选自ge2h6,geh4,gef4,gehf3,geh2f2,geh3f1,gecl4,gehcl3,geh2cl2,geh3cl1,gebr4,gehbr3,geh2br2,geh3br1,gei4,gehi3,geh2i2,geh3i1,gef2(c4h8o2),gecl2(c4h8o2),gebr2(c4h8o2),gei2(c4h8o2),geh2me2,geh2et2,geh2(i-pr)2,geh(n-bu)3,ge(nme2)4,ge(nmeet)4,ge(net2)4,ge[n(sime3)2]4,ge(nme2)2[n(sime3)2]2,ge(nme2)2[nht-bu(ch2)2nht-bu],ge[nht-bu(ch2)2nht-bu]2,ge(nme2)2[nhi-pr(ch2)2nhi-pr],ge[nhi-pr(ch2)2nhi-pr]2,ge(ome)4,ge(oet)4,ge(oi-pr)4,ge(ot-bu)4,或ge(on-bu)4,gen(ch3)2[(ni-pr)2c＝n-(ch3)2]和gen(ch3)2[1,3,4,6,7,8-六氢-2h-嘧啶并[1,2-a]嘧啶]。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一种或多种锗掺杂剂是ge(nme2)4。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一种或多种铪前体由以下通式(iii)表示，

8.根据权利要求7所述的方法，其中，q11,q12,q13,q14各自独立地选自卤素、c1-8烷基、c2-8烯基、n(r1)2、c1-8烷氧基、杂环c1-8烷基、c3...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·K·拉马钱德兰，V·K·穆瑟里，A·伊利贝里，C·德泽拉，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：