当前位置: 首页 > 专利查询>FEI公司专利>正文

像差校正系统和包括该校正系统系统的带电粒子显微镜系统技术方案

技术编号:44849301 阅读:25 留言:0更新日期:2025-04-01 19:44
像差校正系统和包括该校正系统系统的带电粒子显微镜系统。本文提供了像差校正系统和包括该像差校正系统的带电粒子显微镜系统。装置可包括被配置为至少部分地校正该带电粒子束的轴向色差的多个静电多极元件。该装置还包括具有校正器静电棱镜的偏转器组件。该校正器静电棱镜可包括第一校正器棱镜电极和第二校正器棱镜电极,该第一校正器棱镜电极和该第二校正器棱镜电极在其间限定电极间隙,并且偏转器光轴在该电极间隙内延伸。该多个静电多极元件可包括第一六极产生元件、第二六极产生元件、第三六极产生元件和/或第四六极产生元件。在一些示例中,该第二六极产生元件邻近该偏转器光轴的中点定位。在一些示例中,该第二六极产生元件和该第三六极产生元件中的每一者至少部分地定位在该校正器静电棱镜内。

【技术实现步骤摘要】

本公开整体涉及带电粒子显微镜系统,并且具体地涉及具有用于校正带电粒子束中的球面像差和/或色差的系统的带电粒子显微镜。


技术介绍

1、粒子光学显微镜利用圆形透镜引导电子/带电粒子束来照射样本。然而,此类圆形透镜会产生正球面像差和色差系数,从而限制更高的张角并且抑制分辨率和探针电流。


技术实现思路

1、在代表性示例中,装置包括多个静电元件,多个静电元件被配置为沿着α形路径偏转入射带电粒子束。多个静电元件包括被配置为至少部分地校正带电粒子束的轴向色差的多个静电多极元件。装置还包括具有校正器静电棱镜和多个静电多极元件的偏转器组件。校正器静电棱镜包括校正器棱镜主体,该校正器棱镜主体具有第一校正器棱镜电极和径向定位在第一校正器棱镜电极外部的第二校正器棱镜电极。第一校正器棱镜电极和第二校正器棱镜电极在其间限定电极间隙。偏转器组件限定在电极间隙内延伸的偏转器光轴,并且偏转器组件被配置为在带电粒子束沿着偏转器光轴行进时至少部分地校正带电粒子束中的轴向色差。

2、在另一个代表性示例中,装置包括多个静电元件,多个静电元本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种装置,所述装置包括:

2.根据权利要求1所述的装置,其中所述多个静电多极元件包括:

3.根据权利要求1所述的装置,其中所述多个静电多极元件中的至少两个静电多极元件至少部分地包含在所述校正器静电棱镜内。

4.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一校正器棱镜电极包括第一电极外表面,所述第一电极外表面限定沿着平行于所述偏转器光轴的方向部分地延伸的第一电极凹部,其中所述第二校正器棱镜电极包括第二电极外表面,所述第二电极外表面限定沿着平行于所述偏转器光轴的方向部分地延伸的第二电极凹部,并且其中所述多个静电多极元件中的至少一个静电多极元件至少部分地定位在所...

【技术特征摘要】

1.一种装置,所述装置包括:

2.根据权利要求1所述的装置,其中所述多个静电多极元件包括:

3.根据权利要求1所述的装置,其中所述多个静电多极元件中的至少两个静电多极元件至少部分地包含在所述校正器静电棱镜内。

4.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一校正器棱镜电极包括第一电极外表面,所述第一电极外表面限定沿着平行于所述偏转器光轴的方向部分地延伸的第一电极凹部,其中所述第二校正器棱镜电极包括第二电极外表面,所述第二电极外表面限定沿着平行于所述偏转器光轴的方向部分地延伸的第二电极凹部,并且其中所述多个静电多极元件中的至少一个静电多极元件至少部分地定位在所述第一电极凹部和所述第二电极凹部中的每一者内。

5.根据权利要求1所述的装置,其中所述校正器静电棱镜被配置为使所述带电粒子束偏转通过大致等于270度的角度。

6.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一校正器棱镜电极包括面向所述第二校正器棱镜电极的第一电极外表面,其中所述第一电极外表面限定沿着平行于所述偏转器光轴的方向延伸的第一电极凹槽,其中所述第二校正器棱镜电极包括面向所述第一校正器棱镜电极的第二电极内表面,其中所述第二电极内表面限定沿着平行于所述偏转器光轴的方向延伸的第二电极凹槽,并且其中所述校正器静电棱镜被配置为使得当第一电极电压被施加到所述第一校正器棱镜电极并且第二电极电压被施加到所述第二校正器棱镜电极时,所述第一电极凹槽和所述第二电极凹槽在所述校正器静电棱镜内产生六极场。

7.根据权利要求6所述的装置,其中所述校正器静电棱镜具有如在所述第一校正器棱镜电极的中心与所述偏转器光轴之间测量的校正器棱镜射束半径,其中所述第一电极凹槽具有如沿着平行于所述校正器棱镜射束半径的径向方向测量的第一电极凹槽深度,其中所述第二电极凹槽具有如沿着所述径向方向测量的第二电极凹槽深度,并且其中所述第一电极凹槽深度和所述第二电极凹槽深度中的每一者是所述校正器棱镜射束半径的至多1/50。

8.根据权利要求6所述的装置,其中沿...

【专利技术属性】
技术研发人员:A·亨斯特拉
申请(专利权)人:FEI公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1