选择性沉积制造技术

一种用于相对于衬底的不同的第二表面在衬底的第一表面上选择性地形成氧化铝的方法、系统和设备，该过程包括一个或多个超级循环，该超级循环包括子循环：a)通过一个或多个选择性沉积子循环，相对于衬底的不同的第二表面在衬底的第一表面上选择性地沉积氮化铝，b)通过一个或多个氧化子循环，氧化至少一部分氮化铝，c)通过一个或多个热蚀刻子循环蚀刻氧化铝或氮化铝或其组合，其中蚀刻剂是有机卤化物，并重复子循环a)、b)或c)或其组合，直到在第一表面上形成期望厚度的氧化铝。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及相对于第二表面在衬底的第一表面上选择性沉积含铝、氮和/或氧的材料，例如含al和n和/或al和o的薄膜。

技术介绍

1、集成电路目前是通过精细的过程制造的，在该过程中，在半导体衬底上以预定布置顺序地构造各种材料层。

2、材料在半导体衬底上的预定布置通常通过在整个衬底表面上沉积材料，然后从衬底的预定区域去除材料来实现，例如通过沉积掩模层和随后的选择性蚀刻过程。

3、在某些情况下，可以通过利用选择性沉积过程来减少在衬底上制造集成表面所涉及的步骤数量，其中相对于第二表面在第一表面上选择性地沉积材料，而不需要或者减少对后续处理的需要。本文公开了用于相对于衬底的不同的第二表面在衬底的第一表面上选择性沉积的方法。

4、本部分中阐述的任何讨论，包括对问题和解决方案的讨论，已经包括在本公开中，仅仅是为了提供本公开的背景。这种讨论不应被视为承认任何或所有信息在本专利技术被做出时是已知的，或者构成现有技术。

技术实现思路

1、提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍一些概念。这些概念在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于相对于衬底的不同的第二表面在衬底的第一表面上选择性地形成氧化铝的过程，该过程包括一个或多个超级循环，该超级循环包括子循环：

2.根据权利要求1所述的过程，其中，所述氧化铝相对于衬底的不同的第二表面选择性地形成在衬底的第一表面上。

3.根据权利要求1所述的过程，其中，所述一个或多个超级循环还包括将衬底暴露于预处理反应物。

4.根据权利要求3所述的过程，其中，在所述一个或多个选择性沉积子循环之前，将衬底暴露于预处理反应物。

5.根据权利要求3所述的过程，其中，所述预处理反应物包括等离子体。

6.根据权利要求5所述的过程，...

【技术特征摘要】

1.一种用于相对于衬底的不同的第二表面在衬底的第一表面上选择性地形成氧化铝的过程，该过程包括一个或多个超级循环，该超级循环包括子循环：

2.根据权利要求1所述的过程，其中，所述氧化铝相对于衬底的不同的第二表面选择性地形成在衬底的第一表面上。

3.根据权利要求1所述的过程，其中，所述一个或多个超级循环还包括将衬底暴露于预处理反应物。

4.根据权利要求3所述的过程，其中，在所述一个或多个选择性沉积子循环之前，将衬底暴露于预处理反应物。

5.根据权利要求3所述的过程，其中，所述预处理反应物包括等离子体。

6.根据权利要求5所述的过程，其中，所述等离子体由包含h2的气体产生。

7.根据权利要求1所述的过程，其中，所述一个或多个选择性沉积子循环包括：

8.根据权利要求7所述的过程，其中，包含铝的第一气相前体包含三叔丁基铝(ttba)、三甲基铝(tma)或三乙基铝(tea)。

9.根据权利要求7所述的过程，其中，包含氮的第二气相前体包含nh3。

10.根据权利要求1所述的过程，其中，所述一个或多个氧化子循环包括：

11.根据权利要求10所述的过程，其中，所述包含氧的第一气相前体包括o3、h2o、h2o2、o2、氧原子、氧等离子体、天然氧化物、暴露于环境或氧自由基，或者其混合物。

12.根据权利要求1所述的过程，其中，所述一个或多个热蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·K·卡谢尔，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：