【技术实现步骤摘要】
本技术涉及磁控溅射，具体为磁控溅射用靶材中心防污染阳极。
技术介绍
1、在磁控溅射真空镀膜工艺中，由于从靶材表面出来的材料粒子有一定的发散角，并且向基板方向运动的材料粒子会有一定概率与靶材与基板之间的气体分子发生碰撞，从而发生运动方向的改变，这就会使得一部分已经被溅射出来的材料粒子反向运动并附着在靶材表面，处于刻蚀跑道区域的反向附着粒子会被再次溅射，而处于非刻蚀区的材料粒子由于不会再被溅射，就会逐渐累积，在靶材表面形成脏污区域，尤其是靶材中心处的脏污区域由于覆盖物的疏松结构很容易氧化导致电荷导通不良，这很容易在中心处形成局部电荷累积造成高压放电从而产生污染物进入薄膜内，这个缺点严重影响磁控溅射在高纯无缺陷薄膜方面的应用，为此我们提出了磁控溅射用靶材中心防污染阳极来解决上述问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供磁控溅射用靶材中心防污染阳极，以解决上述
技术介绍
中提出的靶材的中心位置在长时间的使用下会被污染损坏的问题。
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：磁控溅射用靶...
【技术保护点】
1.磁控溅射用靶材中心防污染阳极，包括阳极本体(1),所述阳极本体(1)内设置有靶材(2)，
2.根据权利要求1所述的磁控溅射用靶材中心防污染阳极，其特征在于：所述中心阳极(4)处于靶材(2)的上侧的中心位置，所述连接管(5)为向上凸起的U型。
3.根据权利要求1所述的磁控溅射用靶材中心防污染阳极，其特征在于：所述连接管(5)为空心管，所述中心阳极(4)的中心位置开设有流通槽(6)，所述流通槽(6)与连接管(5)相连通，所述连接管(5)的上端的中心位置设置有注水口(7)。
4.根据权利要求3所述的磁控溅射用靶材中心防污染阳极，其特征...
【技术特征摘要】
1.磁控溅射用靶材中心防污染阳极，包括阳极本体(1),所述阳极本体(1)内设置有靶材(2)，
2.根据权利要求1所述的磁控溅射用靶材中心防污染阳极，其特征在于：所述中心阳极(4)处于靶材(2)的上侧的中心位置，所述连接管(5)为向上凸起的u型。
3.根据权利要求1所述的磁控溅射用靶材中心防污染阳极，其特征在于：所述连接管(5)为空心管，所述中心阳极(4)的中心位置开设有流通槽(6)，所述流通槽(6)与连接管(5)相连通，所述连接管(5)的上端的中心位置设置有注水口(7)。
4.根据权利要求3所述的磁控溅射用靶材中心防污染阳极，其特征在于：所述注水口(7)上固定安装有固定环(8)，所述固定环(8)上固定安装有连接环(9)，所述连接环(9)上固定安装有水口...
【专利技术属性】
技术研发人员：齐卫冲，
申请(专利权)人：长沙元戎科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
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