一种防电子磁吸式晶控探头制造技术

本实用新型专利技术涉及石英晶体膜厚控制器技术领域，提出了一种防电子磁吸式晶控探头，包括基座，晶振片卡座，设置在基座上，晶振片，设置在晶振片卡座上，磁源组件，设置在基座或晶振片卡座上，磁源组件用于在晶振片外侧产生磁场阻止电子落至晶振片上。通过上述技术方案，解决了现有技术中的晶控探头应用于磁控溅射设备稳定性差的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种防电子磁吸式晶控探头
本技术涉及石英晶体膜厚控制器
，具体的，涉及一种防电子磁吸式晶控探头。
技术介绍
石英晶体膜厚控制器(以下简称“晶控”)利用石英晶体的压电效应实时测量真空镀膜工艺中纳米量级薄膜的沉积速率和沉积厚度。安装在晶控探头中的石英晶振片和晶控振荡包内置的谐振电路构成石英晶体谐振电路，晶振探头安装在靠近待镀膜基片的位置，当进行薄膜沉积时，晶振片表面也会和待镀膜基片同步沉积薄膜，沉积的薄膜改变了晶振片的质量，并因此改变了谐振频率，根据谐振频率的变化，可以计算出沉积薄膜的质量，在已知薄膜材料密度的情况下，可以计算出沉积薄膜的厚度以及沉积速率。大部分控制器还有对薄膜沉积工艺控制的功能，比如：反馈控制沉积功率，使其稳定在设定的沉积速率，以及到达设定膜厚，给出信号，停止沉积的功能。目前，一般晶控探头只用于蒸发设备，而很少应用于磁控溅射设备，最重要的一个原因是因为磁控溅射系统在工作时，在溅射阴极附件产生等离子体，等离子体中的电子受到施加到靶材上溅射电压(负电压)的作用，向基片方向运动，大量电子积聚在晶振片上或者附近，将导致晶振片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防电子磁吸式晶控探头，其特征在于，包括，/n基座(1)，/n晶振片卡座(2)，设置在所述基座(1)上，/n晶振片(3)，设置在所述晶振片卡座(2)上，/n磁源组件(4)，设置在所述基座(1)或所述晶振片卡座(2)上，所述磁源组件(4)用于在晶振片外侧产生磁场阻止电子落至所述晶振片(3)上。/n

【技术特征摘要】
1.一种防电子磁吸式晶控探头，其特征在于，包括，
基座(1)，
晶振片卡座(2)，设置在所述基座(1)上，
晶振片(3)，设置在所述晶振片卡座(2)上，
磁源组件(4)，设置在所述基座(1)或所述晶振片卡座(2)上，所述磁源组件(4)用于在晶振片外侧产生磁场阻止电子落至所述晶振片(3)上。


2.根据权利要求1所述的一种防电子磁吸式晶控探头，其特征在于，所述磁源组件(4)包括，
磁铁(41)，设置在所述基座(1)内，所述磁铁(41)位于所述晶振片(3)的一侧。


3.根据权利要求2所述的一种防电子磁吸式晶控探头，其特征在于，
所述晶振片(3)的两侧均设置有所述磁铁(41)，所述晶振片(3)一侧的所述磁铁(41)的N极和另一侧的所述磁铁(41)的S极朝向相同，所述晶振片(3)两侧的所述磁铁(41)共同形成磁场。


4.根据权利要求2所述的一种防电子磁吸式晶控探头，其特征在于，
所述晶振片卡座(2)拆卸设置在所述基座(1)上，
所述基座(1)上位于所述磁铁(41)的一侧开设有插槽(11)，
还包括，
导磁钢(5)，设置在所述晶振片卡座(2)上，所述导磁钢(5)用于插入所述插槽(11)内，所述导磁钢(5)插入所述插槽(11)内后，所述磁铁(41)吸引住所述导磁钢(5)且...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟，
申请(专利权)人：长沙元戎科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖南;43