MEMS滤波隔离耦合器及加工方法技术

本发明专利技术提供了一种MEMS滤波隔离耦合器及加工方法，属于射频MEMS无源器件技术领域，其中MEMS滤波隔离耦合器包括金属载体、硅芯片和磁钢；硅芯片包括叠加的下层硅晶圆和上层硅晶圆，下层硅晶圆下表面与金属载体连接，下层硅晶圆的下端开设有开口朝下的安装槽，安装槽用于容纳旋磁铁氧体；下层硅晶圆和上层硅晶圆纵向连接并在两者之间形成金属电路，金属电路包括滤波器功能电路、隔离器功能电路及耦合器功能电路；磁钢粘接在上层硅晶圆的上端面。本发明专利技术提供的MEMS滤波隔离耦合器，采用硅基带状线和多层基片集成波导结构，设计的射频器件有更高功率容量、具备全电磁屏蔽效果，有效解决当前通讯设备复杂、电磁环境干扰严重的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于射频mems无源器件，更具体地说，是涉及一种mems滤波隔离耦合器及加工方法。

技术介绍

1、当前通讯设备向着小型化、大功效，抗干扰、节能增效等方向发展，对收发组件中的射频器件提出了集成化、高功率、高性能、全电磁屏蔽的迫切需求。射频器件的小型化、集成化可以有效减小通讯设备的复杂性和体积，提高设备的集成度和便携性；射频器件的高功率、高性能直接提升收发组件的功率和效率，有助于通讯设备的覆盖范围和通信质量；射频器件的全电磁屏蔽可以减少信号泄露和外部噪声干扰的介入，保护通讯设备免受外界干扰，确保射频信号传输的稳定，从而提升整个射频系统的可靠性。

2、隔离器是用于通讯设备中的发射组件，起着单向传输、吸收反射保护功率放大器、改善后级输出特性的作用；耦合器在发射组件中耦合发射功率，起到功率监测和信号分析的作用；滤波器作用保留特定频段内的信号、将特定频率外不需要的信号滤除，提高通讯系统的信噪比。

3、传统情况下，收发组件通过金丝键合、芯片粘接、焊接等微组装工艺将上述多种射频器件装配在一起。优点是工艺简单，缺点是装配效率低、易产生装配误本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.MEMS滤波隔离耦合器，其特征在于，包括金属载体(3)、硅芯片和磁钢(5)；所述硅芯片包括叠加的下层硅晶圆(2)和上层硅晶圆(1)，所述下层硅晶圆(2)下表面与所述金属载体(3)连接，所述下层硅晶圆(2)的下端开设有开口朝下的安装槽(12)，所述安装槽(12)用于容纳旋磁铁氧体(4)；所述下层硅晶圆(2)和所述上层硅晶圆(1)纵向连接并在两者之间形成金属电路(9)，所述金属电路(9)包括滤波器功能电路(15)、隔离器功能电路(17)及耦合器功能电路(18)；所述下层硅晶圆(2)和所述上层硅晶圆(1)均具有沿厚度方向的金属化过孔，所述金属化过孔用于连接所述金属电路(9)；所述磁钢(5)...

【技术特征摘要】

1.mems滤波隔离耦合器，其特征在于，包括金属载体(3)、硅芯片和磁钢(5)；所述硅芯片包括叠加的下层硅晶圆(2)和上层硅晶圆(1)，所述下层硅晶圆(2)下表面与所述金属载体(3)连接，所述下层硅晶圆(2)的下端开设有开口朝下的安装槽(12)，所述安装槽(12)用于容纳旋磁铁氧体(4)；所述下层硅晶圆(2)和所述上层硅晶圆(1)纵向连接并在两者之间形成金属电路(9)，所述金属电路(9)包括滤波器功能电路(15)、隔离器功能电路(17)及耦合器功能电路(18)；所述下层硅晶圆(2)和所述上层硅晶圆(1)均具有沿厚度方向的金属化过孔，所述金属化过孔用于连接所述金属电路(9)；所述磁钢(5)粘接在所述上层硅晶圆(1)的上端面。

2.如权利要求1所述的mems滤波隔离耦合器，其特征在于，所述下层硅晶圆(2)的下表面具有下端金属地图形(11)，所述金属地图形用于连接所述金属载体(3)；

3.如权利要求2所述的mems滤波隔离耦合器，其特征在于，所述金属电路(9)连接有薄膜电阻(16)，所述薄膜电阻(16)位于所述下层硅晶圆(2)和所述上层硅晶圆(1)之间。

4.如权利要求2所述的mems滤波隔离耦合器，其特征在于，所述金属化过孔包括贯穿所述下层硅晶圆(2)的下...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟晓飞，汪蔚，吴国安，周嘉，侯凯强，刘博达，田松杰，高伟钊，李志东，
申请(专利权)人：河北美泰电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：