【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体晶圆制造，具体涉及一种冷坩埚法直拉法生长氧化镓的装置。
技术介绍
1、氧化镓由于其优异的材料物性，其节能效果是硅的3400倍，是碳化硅的10倍。而且氧化镓和硅一样，可以通过溶解原料，从液体中结晶成长，但是现在的结晶制作方法，由于在保持熔融液的坩埚中使用了非常昂贵的金属铱，导致成本很难降低。
2、目前已公开报道的β-ga2o3晶体的生长方法包括提拉法、导模法、布里奇曼法、浮区法等，其中使用坩埚的多以贵金属做坩埚材料，以铱金、铂铑合金为主，但因氧化镓熔点在1793℃，同时在高温时氧化镓会挥发和分解，存在金属镓在熔体中富集对铱金坩埚造成腐蚀的问题，影响晶体的生长过程和晶体质量；而铂铑合金坩埚因熔点很接近氧化镓的熔点，因此对温度的控制需要极为准确，同时存在铑污染等问题；另外因为生长需要的大量的贵金属，导致晶体的生长投入的成本，生长后坩埚腐蚀维护成本很高；光学浮区法生长晶体不需要贵金属坩埚，其常用的加热光源有高压氙灯和激光加热；普通光学浮区炉受限于加热热源的大小，浮区法只能获得φ5-10mm的晶棒，虽然晶体质量较好...
【技术保护点】
1.一种冷坩埚法直拉法生长氧化镓的装置，包括外壳，在外壳内设置有坩埚，在外壳的下方设置有抬升装置，所述抬升装置穿过外壳底部与坩埚的底部连接；
2.根据权利要求1所述的冷坩埚法直拉法生长氧化镓的装置，其特征在于，所述外壳包括外壳本体及设置于外壳本体上部的颈部，在外壳本体与颈部的连接处设置有隔离阀，晶体上升旋转机构安装于颈部的顶端外部，所述籽晶能够穿过隔离阀。
3.根据权利要求1所述的冷坩埚法直拉法生长氧化镓的装置，其特征在于，所述控制系统还分别与晶体上升旋转机构、抬升装置、电源导线连接。
4.根据权利要求1所述的冷坩埚法直拉法生长氧化...
【技术特征摘要】
1.一种冷坩埚法直拉法生长氧化镓的装置，包括外壳，在外壳内设置有坩埚，在外壳的下方设置有抬升装置，所述抬升装置穿过外壳底部与坩埚的底部连接；
2.根据权利要求1所述的冷坩埚法直拉法生长氧化镓的装置，其特征在于，所述外壳包括外壳本体及设置于外壳本体上部的颈部，在外壳本体与颈部的连接处设置有隔离阀，晶体上升旋转机构安装于颈部的顶端外部，所述籽晶能够穿过隔离阀。
3.根据权利要求1所述的冷坩埚法直拉法生长氧化镓的装置，其特征在于，所述控制系统还分别与晶体上升旋转机构、抬升装置、电源导线连接。
4.根据权利要求1所述的冷坩埚法直拉法生长氧化镓的装置，其特征在于，在外壳本体的顶部设置有进料口，进料管活动式插入进料口内并伸入到坩埚本体的腔体内，所述进料管的外端与进料系统连接。
5.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱晓东，陈朝牛，罗刚，方智，
申请(专利权)人：深圳市赛迈特新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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