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本发明属于半导体晶圆制造技术领域，具体涉及一种冷坩埚法直拉法生长氧化镓的装置，包括外壳，在外壳内设置有坩埚，坩埚包括坩埚本体，在坩埚本体的底部及侧壁内设置有连通的冷却腔，分别为底部冷却腔和侧部冷却腔，侧部冷却腔的沿坩埚径向的尺寸与坩埚的内径...
该专利属于深圳市赛迈特新材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市赛迈特新材料有限公司授权不得商用。

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