【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氧化物薄膜，具体的说是一种透明铜钨氧化物薄膜的制备方法。
技术介绍
1、透明氧化物薄膜因其独特的光学性能在催化、传感等领域得到了广泛应用。例如，透明ito、azo薄膜作为透明电极可应用在显示器、触摸屏、太阳能电池等器件上。透明氧化物薄膜可以有效地反射蓝紫光，在农业领域可以促进农作物生长；将透明氧化物薄膜沉积在玻璃基底上可以作为光学滤光片，透明氧化物玻璃光学元件可以制备消色差镜头；在低辐射玻璃中透明氧化物薄膜能够起到抵挡紫外线降低辐射的作用，透明氧化物薄膜在日常还可以起到装饰，遮蔽的作用。
2、目前，有大量报道关于氧化物薄膜的制备，如电子束蒸发法、磁控溅射法、气相沉积法、等离子体辅助分子束外延法、电化学沉积法、喷雾热分解法等。上述制备方法中，气相沉积法成膜质量高，并且能实现高速度、大面积、均匀、多片一次生长，但是原料化学性质不稳定、有毒且价格昂贵，尾气需要专门设备处理；分子束外延法生长薄膜的虽然能够精确控制沉积参数，可实现动态实时的监测薄膜外延生长模式，但是薄膜的生长太慢，难以用于生产，生长多组分薄膜困难，生长温...
【技术保护点】
1.一种透明铜钨氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，主要包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种透明铜钨氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，氧化物薄膜中钨的原子百分含量为25-50 at%。
3.根据权利要求1所述的一种透明铜钨氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，当氧化物薄膜的厚度在30~100nm，真空度目标值为5*10-3～9*10-3Pa；
4.根据权利要求1所述的一种透明铜钨氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中，同时溅射Cu靶与W靶30~120s，得到厚度为30~100nm的氧化物薄膜；
...【技术特征摘要】
1.一种透明铜钨氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，主要包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种透明铜钨氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s2中，氧化物薄膜中钨的原子百分含量为25-50 at%。
3.根据权利要求1所述的一种透明铜钨氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s2中，当氧化物薄膜的厚度在30~100...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙浩亮，李子怡，张梦冉，魏明，谢尊严，刘丹丹，张弛，秦浩，唐赞，张颖，
申请(专利权)人：河南科技大学，
类型：发明
国别省市：
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