沟槽型MOSFET结构及其制备方法技术

本申请提供一种沟槽型MOSFET结构及其制备方法，沟槽型MOSFET结构包括：外延保护层，沿第一方向延伸且包围栅极结构的侧壁和底面，外延保护层的导电类型和漂移层的导电类型相同，外延保护层的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度；阱区，位于栅极结构和外延保护层沿第二方向两侧的漂移层中；位于阱区朝向半导体衬底层一侧的漂移层中的掺杂区，任意一个掺杂区包围一个栅区沿第二方向一侧的外延保护层和对应栅区朝向半导体衬底层一侧的一部分外延保护层，且掺杂区暴露出对应栅区沿第二方向另一侧的外延保护层和对应栅区朝向半导体衬底层一侧的另一部分外延保护层，所述掺杂区的导电类型和所述外延保护层的导电类型相反。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种沟槽型mosfet结构及其制备方法。

技术介绍

1、宽禁带半导体材料碳化硅(siliconcarbide，sic)由于具有高临界击穿电场、高热导率和高电子饱和速度等优点，成为了耐高压、耐高温和高频率大功率电力电子器件的理想选择。sic金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor fieldeffectransistor，mosfet)是一种具有理想栅极绝缘特性的单极性器件，在关断过程中不存在拖尾电流，可以大幅降低开关损耗和减小散热器体积。此外，sic mosfet开关频率高，有利于减小电力电子装置中源滤波元件体积和重量，提高装置的效率和功密度。

2、相比于平面栅极结构sic mosfet，沟槽栅mosfet可以有效缩小元胞尺寸，增加沟道密度，而对于沟槽sic mosfet而言，性能还有待进一步提高。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题在于如何克服现有技术中沟槽型mosfet结构的栅极结构底部的栅介质层位置的电场强度过高本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种沟槽型MOSFET结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET结构，其特征在于，所述掺杂区与阱区接触。

3.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET结构，其特征在于，还包括：沟道区，位于所述栅极结构的侧壁的外延保护层中，所述沟道区背离所述半导体衬底层的一侧表面与所述漂移层背离所述半导体衬底层的一侧表面间隔，所述沟道区朝向所述半导体衬底层的一侧表面与所述栅极结构朝向所述半导体衬底层的一侧表面间隔。

4.根据权利要求3所述的沟槽型MOSFET结构，其特征在于，还包括：源区，位于所述阱区的部分区域中和所述沟道区背离所述半导体衬底...

【技术特征摘要】

1.一种沟槽型mosfet结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的沟槽型mosfet结构，其特征在于，所述掺杂区与阱区接触。

3.根据权利要求1所述的沟槽型mosfet结构，其特征在于，还包括：沟道区，位于所述栅极结构的侧壁的外延保护层中，所述沟道区背离所述半导体衬底层的一侧表面与所述漂移层背离所述半导体衬底层的一侧表面间隔，所述沟道区朝向所述半导体衬底层的一侧表面与所述栅极结构朝向所述半导体衬底层的一侧表面间隔。

4.根据权利要求3所述的沟槽型mosfet结构，其特征在于，还包括：源区，位于所述阱区的部分区域中和所述沟道区背离所述半导体衬底层一侧的外延保护层中。

5.根据权利要求1所述的沟槽型mosfet结构，其特征在于，所述栅极结构包括一个所述栅区；所述掺杂区在所述半导体衬底层上的正投影图形呈长条状。

6.根据权利要求1所述的沟槽型mosfet结构，其特征在于，所述栅极结构包括沿所述第一方向间隔排布的多个栅区；一个所述栅极结构侧壁和底面的外延保护层被沿所述第一方向间隔的多个所述掺杂区包围；

7.根据权利要求1所述的沟槽型mosfet结构，其特征在于，所述栅极结构包括沿所述第一方向间隔排布的多个栅区；一个所述栅极结构侧壁和底面的外延保护层被沿所述第一方向间隔的多个所述掺杂区包围；

8.根据权利要求1、5、6或7所述的沟槽型mosfet结构，其特征在于，对于相邻的所述栅极结构，包围一个所述栅极结构的侧壁和底部的外延保护层的所述掺杂区与包围另一个所述栅极结构的侧壁和底部的外延保护层的所述掺杂区间隔设置。

9.根据权利要求5或7所述的沟槽型mosfet结构，其特征在于，对于相邻的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙博韬，张园览，温家平，
申请(专利权)人：清纯半导体宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：