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本申请提供一种沟槽型MOSFET结构及其制备方法，沟槽型MOSFET结构包括：外延保护层，沿第一方向延伸且包围栅极结构的侧壁和底面，外延保护层的导电类型和漂移层的导电类型相同，外延保护层的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度；阱区，位于栅极结构和外...
该专利属于清纯半导体（宁波）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清纯半导体（宁波）有限公司授权不得商用。

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