功率器件及其形成方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种功率器件。本发明专利技术的功率器件包括：栅极区，位于阱区之中；栅氧化层，全包围栅极区；沟槽区，包围栅氧化层的至少部分底部和部分侧部；沟槽区的顶部和侧部被阱区包围，且阱区自沟槽区的侧部底角边向沟槽区底面中心延伸，对沟槽区的底角形成包围结构；阱区，包围沟槽区侧部和沟槽区高于外延层的底部，与沟槽区共同对栅氧化层的底角形成包围结构。栅氧化层将栅极区与沟槽区和阱区间隔。本发明专利技术通过阱区和沟槽区对栅氧化层的底角形成包围结构，可以屏蔽高电场对栅氧化层的影响，提高器件的可靠性。并且可以通过调整包围沟槽区的阱区的掺杂浓度，降低包围区域的电流路径的导通电阻，获得更低的器件导通电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种功率器件及其形成方法。

技术介绍

1、sic基功率器件作为新型功率开关器件，对比传统si基功率器件能够在更苛刻的环境如高温高压下实现更快的开关速度、更高的器件效率和更低的导通电阻，在功率市场上正展现出巨大的潜力，特别是光伏发电、新能源汽车、高端电源等领域，其市场占有率不断提高。影响sic功率器件性能的一个关键要素是比导通电阻(单位芯片面积导通电阻)，比导通电阻包括多个串联的分布电阻，其中沟道电阻占比较大，特别是在低压器件中。由于sic基器件的栅氧化层质量比si基器件稍差，反型层电子迁移率不高，因此现有技术的平面型mosfet一般采用短沟道来降低沟道电阻，然而这种方式有一定的限度和风险，且由于平面型mosfet存在典型的jfet区，其电阻占比也较高，使得最终的比导通电阻也较高。

2、由于sic材料具有晶体多型和各向异性的特点，晶型间电子迁移率在{0001}平面内(μ⊥)和c轴方向<0001>上(μ∥)各不相同，4h-sic的μ∥和μ⊥分别约为1200和1000cm2/v·s，因此沟槽型结构可在一定本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求2或3所述的功率器件，其特征在于，

5.根据权利要求2或3所述的功率器件，其特征在于，

6.根据权利要求2或3所述的功率器件，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求2或3所述的功率器件，其特征在于，

8.一种权利要求1-7中任一项所述的功率器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

9.根据权利要求8所述的功率器件的形成方法，其特...

【技术特征摘要】

1.一种功率器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求2或3所述的功率器件，其特征在于，

5.根据权利要求2或3所述的功率器件，其特征在于，

6.根据权利要求2或3所述的功率器件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张园览，孙博韬，魏春雨，
申请(专利权)人：清纯半导体宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：