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本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种功率器件。本发明的功率器件包括：栅极区，位于阱区之中；栅氧化层，全包围栅极区；沟槽区，包围栅氧化层的至少部分底部和部分侧部；沟槽区的顶部和侧部被阱区包围，且阱区自沟槽区的侧部底角边向沟槽区底面中心延...
该专利属于清纯半导体（宁波）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清纯半导体（宁波）有限公司授权不得商用。

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