一种极紫外光刻光源产生方法与装置制造方法及图纸

一种极紫外光刻光源产生方法和装置，方法包括在真空环境中生成微米级厚度均匀稳定的金属液膜靶材，使用2微米波长激光束聚焦轰击靶材产生极紫外光；装置包括2微米固体激光器模块、液膜生成与维持模块、激光聚焦与能量耦合模块以及极紫外光收集与传输模块构成。其中，凭借2微米固体激光器对金属液膜靶进行轰击从而获取极紫外光，而金属液膜产生装置借助精准的温控及流控手段，确保金属液膜能够维持均匀稳定的微米级厚度。此外，激光耦合与聚焦模块能够对光源脉冲的时空分布予以调整，有利于液膜靶高效吸收驱动能量。本发明专利技术具备降低能耗、提升效率与稳定性的优势，为光刻技术及芯片制造产业的蓬勃发展注入了强劲动力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光刻光源，具体涉及一种极紫外光刻光源产生方法与装置。

技术介绍

1、在现代光刻技术的持续发展与芯片制造精度要求不断提高的背景下，极紫外光刻(euvl)光源已然成为突破光刻制程瓶颈的关键所在。当前，主流的euv光源产生方法依赖于二氧化碳激光器激发锡液滴以产生13.5纳米波长的极紫外光。然而，这一技术路径面临着多重严峻挑战，阻碍了其在高效、稳定、低成本芯片制造中的广泛应用。

2、首先，二氧化碳激光器系统不仅体积庞大、结构复杂，且能耗极高，设备成本居高不下。随着半导体产业对光刻光源的功率密度、稳定性及精度要求的不断提升，传统二氧化碳激光器系统的性能提升已逐渐逼近物理极限，技术发展陷入瓶颈期。

3、其次，锡液滴的生成、精确控制以及与激光脉冲的高效协同作业是另一大技术难题。锡液滴的微小尺寸与快速变化特性使得其稳定产生与精确操控变得极为困难，进而影响了极紫外光的输出稳定性与一致性。这种不稳定性直接限制了芯片制造过程中的良品率与生产效率，成为制约euvl技术大规模应用的重大障碍。

技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种极紫外光刻光源产生方法，其特征在于，包括：

2.一种极紫外光刻光源产生装置，其特征在于，包括：

3.根据权利要求2所述的极紫外光刻光源产生装置，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求2所述的极紫外光刻光源产生装置，其特征在于，所述液膜生成与维持模块，包括：

5.根据权利要求4所述的极紫外光刻光源产生装置，其特征在于，所述金属熔液为纯度达99.9999％的锡。

6.根据权利要求4所述的极紫外光刻光源产生装置，其特征在于，所述容器采用石英陶瓷复合材料制成，具有耐高温性能，能够承受至少800℃的高温，且化学稳定性强。

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【技术特征摘要】

1.一种极紫外光刻光源产生方法，其特征在于，包括：

2.一种极紫外光刻光源产生装置，其特征在于，包括：

3.根据权利要求2所述的极紫外光刻光源产生装置，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求2所述的极紫外光刻光源产生装置，其特征在于，所述液膜生成与维持模块，包括：

5.根据权利要求4所述的极紫外光刻光源产生装置，其特征在于，所述金属熔液为纯度达99.9999％的锡。

6.根据权利要求4所述的极紫外光刻光源产生装置，其特征在于，所述容器采用石英陶瓷复合材料制成，具有耐高温性能，能够承受至少800℃的高温，且化学稳定性强...

【专利技术属性】
技术研发人员：林楠，张云杰，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：