半导体器件的封装结构及半导体器件制造技术

本申请实施例提供一种半导体器件的封装结构及半导体器件。该封装结构包括：衬底；电极层，所述电极层位于所述衬底的一侧，所述电极层包括多个环形电极结构，各所述环形电极结构以同心圆的方式排列，各所述环形电极结构之间相互绝缘；散热层，所述散热层位于所述电极层与所述衬底之间，所述散热层包括多个环形导电结构，所述环形导电结构朝向所述衬底的正投影与所述环形电极结构朝向所述衬底的正投影至少部分相交叠，所述环形导电结构与所述环形电极结构电连接。可以使得散热层各处在高温环境下均匀热膨胀，避免对衬底发生局部高强度磨损，从而可以降低半导体器件的失效风险，提高半导体器件的安全性、可靠性和稳定性，延长半导体器件的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件，特别是涉及半导体器件的封装结构及半导体器件。

技术介绍

1、随着半导体器件制备技术的发展和进步，对于半导体器件的安全性、可靠性和稳定性的要求逐渐提高。对于大电流快速关断的半导体器件，通常需要承受大电流和高电压，会导致关断过程中产生大量的热量，从而会引起半导体器件的热形变和热应力。

2、在传统的半导体器件中，通常会在阴极层与芯片之间设置金属缓冲层，以对阴极金属层进行散热，同时可以保证器件的导通性能。但是，金属材料的热膨胀系数较大，在高温环境下容易沿平行于芯片的方向横向延展，在温度降低时收缩，使得金属缓冲层与芯片表面在器件开关过程中发生相对位移，从而对芯片产生磨损，导致芯片失效，影响半导体器件的安全性、可靠性和稳定性，降低半导体器件的使用寿命。

技术实现思路

1、基于此，本申请实施例提供的半导体器件的封装结构及半导体器件，可以使得散热层各处可以在高温环境下均匀发生热膨胀，避免对衬底发生局部高强度磨损，从而可以降低半导体器件的失效风险，提高半导体器件的安全性、可靠性和稳定性，延长半本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.半导体器件的封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，

9.半导体器件，其特征在于，包括...

【技术特征摘要】

1.半导体器件的封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏晓光，林仲康，唐新灵，代安琪，石浩，刘瑞，韩荣刚，王亮，杜玉杰，郝炜，
申请(专利权)人：北京怀柔实验室，
类型：新型
国别省市：