【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
1、随着摩尔定律的诞生，半导体器件中晶体管的数量每年会翻一翻。随着时间的推进，工艺结点已经达到2nm甚至0.3nm，其目的都是为了增加晶体管的数量，提升芯片的运行速度。
2、当增长到一定程度后，不通过结构的改变已经无法增加晶体管的数量，但是结构的改变会使得工艺很复杂。
3、基于此，如何通过排布设计来进一步增加半导体器件中的晶体管的数量成为了本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对如何增加半导体器件中晶体管数量，增加半导体器件集成度的问题，提供一种半导体器件及其制备方法。
2、为了实现上述目的，一方面，本专利技术提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括衬底以及位于所述衬底上的栅极层，
3、所述衬底包括：
4、至少两个第一有源区，沿第一方向延伸且沿第二方向排列；
5、第二有源区，在所述第二方向上位于相邻所述第一有源区之间，所...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括衬底以及位于所述衬底上的栅极层，
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一有源区包括第一沟道区，所述第二有源区包括第二沟道区；所述第一沟道区与所述第二沟道区的导电类型相同。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一有源区还包括第一掺杂区，所述第一掺杂区与所述第一沟道区沿所述第一方向交替排布，所述第一掺杂区与所述第二沟道区的导电类型相反，所述第二沟道区在所述第二方向上与相邻两个所述第一有源区的所述第一掺杂区均连接。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括衬底以及位于所述衬底上的栅极层，
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一有源区包括第一沟道区，所述第二有源区包括第二沟道区；所述第一沟道区与所述第二沟道区的导电类型相同。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一有源区还包括第一掺杂区，所述第一掺杂区与所述第一沟道区沿所述第一方向交替排布，所述第一掺杂区与所述第二沟道区的导电类型相反，所述第二沟道区在所述第二方向上与相邻两个所述第一有源区的所述第一掺杂区均连接。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二栅极与所述第一栅极在所述第一方向上连接。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一有源区包括第一沟道区，所述第二有源区包括第二沟道区；第一沟道区具有第一导电类型，第二沟道区具有第二导电类型，所述第一沟道区与所述第二沟道区的导电类型不相同。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一有源区还包括第二掺杂区，所述第二掺杂区与所述第一沟道区沿所述第一方...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文智，王仲盛，刘哲儒，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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