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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，由于该半导体器件中至少两个第一栅极和至少两个第一有源区交叉设置，并且第二有源区位于相邻第一有源区之间，第二栅极位于第二有源区上，使得该半导体器件在形成至少四个晶体管时，在第二有源区和...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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