【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种单晶硅电极的吸附固定装置。
技术介绍
1、在单晶硅电极的生产加工过程中，为了防止在加工过程中单晶硅电极因振动等因素移动导致出现加工误差，通常会使用固定装置来固定单晶硅电极。
2、然而，相关技术中，在固定单晶硅电极时通常要使用夹具来固定单晶硅电极，夹具在夹持单晶硅电极时容易对单晶硅电极表面造成划伤。
技术实现思路
1、本申请提供一种单晶硅电极的吸附固定装置，通过吸附固定的方式固定单晶硅电极，无需使用夹具夹持单晶硅电极，可以避免夹具在夹持单晶硅电极时对单晶硅电极表面造成划伤。
2、本申请提供一种单晶硅电极的吸附固定装置，包括：
3、吸附盘，所述吸附盘上开设有吸附孔，所述吸附盘具有用于承载单晶硅电极的承载面，所述承载面上开设有环形的吸附槽，所述吸附槽与所述吸附孔连接；
4、吸气组件，与所述吸附孔连通，所述吸气组件用于为所述吸附孔吸取吸附槽中的空气。
5、在本申请一些实施例中，所述吸附槽设置有多条，多条所述吸...
【技术保护点】
1.一种单晶硅电极的吸附固定装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的单晶硅电极的吸附固定装置，其特征在于，所述吸附槽设置有多条，多条所述吸附槽由内向外依次间隔分布。
3.根据权利要求2所述的单晶硅电极的吸附固定装置，其特征在于，相邻两条所述吸附槽之间设置有第一凹槽，所述第一凹槽沿所述吸附槽的周向延伸，且与所述吸附槽间隔排布。
4.根据权利要求1所述的单晶硅电极的吸附固定装置，其特征在于，所述吸附盘的中心区域设置有第二凹槽，所述吸附槽围绕所述第二凹槽设置，且与所述第二凹槽间隔分布。
5.根据权利要求1所述的单晶硅...
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅电极的吸附固定装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的单晶硅电极的吸附固定装置，其特征在于，所述吸附槽设置有多条，多条所述吸附槽由内向外依次间隔分布。
3.根据权利要求2所述的单晶硅电极的吸附固定装置，其特征在于，相邻两条所述吸附槽之间设置有第一凹槽，所述第一凹槽沿所述吸附槽的周向延伸，且与所述吸附槽间隔排布。
4.根据权利要求1所述的单晶硅电极的吸附固定装置，其特征在于，所述吸附盘的中心区域设置有第二凹槽，所述吸附槽围绕所述第二凹槽设置，且与所述第二凹槽间隔分布。
5.根据权利要求1所述的单晶硅电极的吸附固定装置，其特征在于，所述吸附槽的底壁面上设置有凸起结构，所述凸起结构远离所述吸附槽的底壁面的一侧上设置有所述吸附孔，所述吸附孔位于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：钮东飞，孙强，周志慧，马贺贺，
申请(专利权)人：长沙华实半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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