半导体存储装置及半导体存储装置的加热方法制造方法及图纸

技术编号:44722519 阅读:14 留言:0更新日期:2025-03-21 17:49
一个实施方式提供能够延长产品寿命的半导体存储装置及半导体存储装置的加热方法。一个实施方式的半导体存储装置具有基板、密封构件、第1存储芯片以及非信号布线。所述非信号布线设置于所述密封构件的表面、所述密封构件的内部、所述基板的第1面、所述基板的内部、以及所述第1存储芯片的表面中的一者以上,在从第1方向观察的情况下与所述第1存储芯片重叠。所述非信号布线具有与电力供给部电连接的第1端、与接地电连接的第2端、以及将所述第1端与所述第2端连接的布线主体。所述布线主体包括:在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸的第1部分、从所述第1部分的端折回的第2部分、以及从所述第2部分的端折回的第3部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方式涉及半导体存储装置及半导体存储装置的加热方法


技术介绍

1、已知有具有基板、搭载于基板的存储芯片以及将存储芯片密封的密封构件的半导体存储装置。


技术实现思路

1、一个实施方式提供能够延长产品寿命的半导体存储装置及半导体存储装置的加热方法。

2、一个实施方式的半导体存储装置具有基板、密封构件、第1存储芯片以及非信号布线。所述基板具有第1面。所述密封构件在从作为所述基板的厚度方向的第1方向观察的情况下覆盖所述第1面。所述第1存储芯片在所述第1方向上配置于所述第1面与所述密封构件之间。所述非信号布线不同于所述半导体存储装置的信号布线。所述非信号布线设置于所述密封构件的表面、所述密封构件的内部、所述基板的所述第1面、所述基板的内部、以及所述第1存储芯片的表面中的一者以上,在从所述第1方向观察的情况下与所述第1存储芯片重叠。所述非信号布线具有与电力供给部电连接的第1端、与接地电连接的第2端、以及将所述第1端与所述第2端连接的布线主体。所述布线主体包括在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体存储装置,具备:

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,

4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,

5.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置,

7.根据权利要求5所述的半导体存储装置,还具备:

8.根据权利要求5所述的半导体存储装置,还具备:

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置,

10.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,

11.根据权利要求1或2所述的...

【技术特征摘要】

1.一种半导体存储装置,具备:

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,

4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,

5.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置,

7.根据权利要求5所述的半导体存储装置,还具备:

8.根据权利要求5所述的半导体存储装置,还具备:

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置,

【专利技术属性】
技术研发人员:长谷川一磨佐贯朋也
申请(专利权)人:铠侠股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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