一种MOSFET的内部空洞缺陷检测方法技术

本发明专利技术涉及缺陷检测的技术领域，提出一种MOSFET的内部空洞缺陷检测方法，包括以下步骤：获取MOSFET的X射线图像；检测X射线图像中的晶体管的顶点位置，基于顶点位置确定晶体管区域；将晶体管区域划分为若干个分区，对于每个分区计算分区灰度分布与拟合高斯分布的相似度，判断相似度是否小于预设相似度阈值，若是，则视相似度对应的分区中含有空洞缺陷；否则，基于像素灰度值计算，寻找相似度对应的分区内灰度值最大的像素；判断灰度值最大的像素是否为空洞缺陷像素，若是，则视该分区含有空洞缺陷，否则视该分区不含空洞缺陷；对含空洞缺陷的分区进行空洞缺陷的定位；本缺陷检测方法的结果准确性和计算鲁棒性较好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及缺陷检测的，更具体地，涉及一种mosfet的内部空洞缺陷检测方法。

技术介绍

1、内部的空洞缺陷可能由制造过程中的材料纯度问题和工艺误差等多种因素引起，这些空洞缺陷会导致电子通道中的电阻增加、漏电流加大以及器件寿命缩短，进而影响器件的性能和可靠性，并且，空洞缺陷的占比率越高，器件的性能越差，寿命越短。而基于x射线技术，采用人工检测空洞的方式，容易出现漏检和误检。因此，对于电子元器件，如mosfet的设计，自动空洞缺陷检测算法的重要性不言而喻，及时发现和解决内部空洞缺陷可以提高器件的可靠性和性能，确保其在各种应用中的稳定运行。

2、与其他电子元器件不同，mosfet通过焊接材料附着在基板上。要获得空洞缺陷的占比率，需要依次进行晶体管和空洞缺陷的面积计算，最后得到空洞缺陷占比。mosfet的x射线图像存在灰度分布不均匀的问题，并且部分空洞缺陷呈现弱边缘，这使得全局阈值或边缘检测算法难以对空洞缺陷进行准确的像素级定位。如果采用深度学习方法，需要大量的人工标记样本，这将大大增加成本。此外，如果出现新样本，需要对模型进行重新训练，耗时耗力。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MOSFET的内部空洞缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的MOSFET的内部空洞缺陷检测方法，其特征在于，检测所述X射线图像中的晶体管的顶点位置的步骤包括：

3.根据权利要求1所述的MOSFET的内部空洞缺陷检测方法，其特征在于，在将所述晶体管区域划分为若干个分区之前，对所述晶体管区域内的图像进行均值滤波和自适应直方图均衡的预处理，得到预处理后的晶体管区域图像；

4.根据权利要求1所述的MOSFET的内部空洞缺陷检测方法，其特征在于，对于每个分区计算分区灰度分布与拟合高斯分布的相似度的计算表达式包括：

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【技术特征摘要】

1.一种mosfet的内部空洞缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的mosfet的内部空洞缺陷检测方法，其特征在于，检测所述x射线图像中的晶体管的顶点位置的步骤包括：

3.根据权利要求1所述的mosfet的内部空洞缺陷检测方法，其特征在于，在将所述晶体管区域划分为若干个分区之前，对所述晶体管区域内的图像进行均值滤波和自适应直方图均衡的预处理，得到预处理后的晶体管区域图像；

4.根据权利要求1所述的mosfet的内部空洞缺陷检测方法，其特征在于，对于每个分区计算分区灰度分布与拟合高斯分布的相似度的计算表达式包括：

5.根据权利要求1所述的mosfet的内部空洞缺陷检测方法，其特征在于，判断所述灰度值最大的像素是否为空洞缺陷像素时，计算灰度值最大的像素对应的两个相邻像素值邻域的灰度差异最大值gfine(p2)，若所述灰度差异最大值gfine(p2)超过预设的灰度差异阈值，则视所述灰度值最大的像素为空洞缺陷像素，否则，视灰度值最大的像素对应的分区内不存在空洞缺...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡念，唐焕康，李浩楠，许少秋，王晗，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：