温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及缺陷检测的技术领域，提出一种MOSFET的内部空洞缺陷检测方法，包括以下步骤：获取MOSFET的X射线图像；检测X射线图像中的晶体管的顶点位置，基于顶点位置确定晶体管区域；将晶体管区域划分为若干个分区，对于每个分区计算分区灰度分布...
该专利属于广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东工业大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。