【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及陶瓷-金属复合材料，尤其涉及一种陶瓷覆铜板的制备方法及所得陶瓷覆铜板。
技术介绍
1、陶瓷覆铜常用技术包括薄膜法、厚膜法、直接覆铜法(dbc，direct bondedcopper)、激光活化金属化法(lam，laser activation metallization)、活性金属真空钎焊法(amb，active metal bonding)等多种工艺。
2、薄膜法为陶瓷基板预处理后磁控溅射沉积一层200-500nm的cu层，再通过贴膜、曝光、显影等工序完成图形转移，再电镀cu层至所需厚度。该工艺中的薄膜技术的制作设备昂贵，需要高真空条件，生产效率较低，且金属层与基板之间结合力不稳定，沉积cu层之前还要先沉积一层ti作为过渡，增加了工艺复杂度。
3、厚膜法为在预处理后的基板上直接沉积导电浆料，经高温烧结形成导电线路和电极的方法。该工艺简单，但缺点明显，受限制于导电浆料和丝网尺寸，使用浆料粘度高，容易发生堵塞，导电线路电学性能较差，仅适用于对功率和尺寸要求较低的电子器件。
4、dbc法将铜...
【技术保护点】
1.一种陶瓷覆铜板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述陶瓷选自Si3N4、Al2O3或AlN中的一种。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述过渡涂层由AlMg5组成。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中使用ER5356焊丝进行高速电弧喷涂。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述过渡涂层的厚度为80-100μm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铜涂层厚度为100-3000μm。
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