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交流垂直结构半导体发光二极管制造技术

技术编号:4465514 阅读:192 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一个交流垂直结构LED芯片包括多个直流垂直结构LED单元芯片,一个直流垂直结构LED单元芯片包括:支持衬底;支持衬底包括绝缘支架和形成在绝缘支架上的多个互相电绝缘的金属膜;半导体外延薄膜键合在金属膜上;每个半导体外延薄膜、相应的金属膜和相应的金属电极构成一个LED单元芯片;在半导体外延薄膜的上方和金属膜的上方的钝化层上的预定的位置上形成窗口;金属电极通过窗口层叠在一个半导体外延薄膜上并向预定的另一金属膜延伸并通过窗口与该金属膜形成电连接,使得两个半导体外延薄膜形成串联。把两串串联的直流垂直结构LED单元芯片反向串联,构成一个交流垂直结构LED芯片。把多串串联的直流垂直结构LED单元芯片连接成整流桥结构,构成一个交流垂直结构LED芯片。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术揭示一种交流垂直结构半导体发光二极管(AC Vertical LED),属于 光电子

技术介绍
半导体发光二极管(LED)正在进入普通照明领域,交流电驱动的LED芯片已被推 出到市场上。一个交流LED芯片实施例的结构如下,一个交流LED芯片包括多个LED单元芯 片,LED单元芯片分别串联成为五串,五串LED单元芯片组成类似一个整流桥。整流桥的两 端分别联接交流源,整流桥的另两端联接一串LED单元芯片,交流的正半周沿一条通路流 动,3串LED单元芯片发光,负半周沿另一条通路流动,3串LED单元芯片发光。因此可以将 交流LED芯片直接电连接到外界交流电源上,而无需外接变压器和整流器。但是,组成交流 LED芯片中的每一个LED单元芯片具有横向结构。横向结构LED芯片的缺点是不能采用大 电流驱动、发光效率低、电流拥塞(current crowding)、热阻大,等,因此需要一种交流LED 芯片,可以采用大电流驱动,并且进一步提高发光效率和改善散热。本技术揭示一种交流垂直结构LED及制造工艺,以克服上述的不足之处。
技术实现思路
交流垂直结构LED芯片的一个实施例的结构如下一个交流垂本文档来自技高网...

【技术保护点】
交流垂直结构半导体发光二极管,其特征在于,所述的交流垂直结构半导体发光二极管包括多个直流垂直结构半导体发光二极管单元芯片;多个所述的直流垂直结构半导体发光二极管单元芯片形成电连接,使得所述的交流垂直结构半导体发光二极管可以承受交流电。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:彭晖
申请(专利权)人:金芃彭晖
类型:实用新型
国别省市:11[中国|北京]

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