在晶片结合间隙中形成的芯片冷却通道制造技术

根据本发明专利技术的一个实施例是一种系统（５００），其可以包括第一晶片（１０４）以及第二晶片（１０２）。所述第一晶片和所述第二晶片通过晶片结合工艺被结合在一起，所述晶片结合工艺在所述第一晶片和所述第二晶片之间形成间隙（１２８）。所述间隙被配置为容纳排热材料（５３０）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在晶片结合间隙中形成的芯片冷却通道 对相关申请的交叉引用本专利申请与在2007年1月31日提交的、代理人案号为200602754 的、Peter G. Hartwell等的题为"Electronic And Optical Circuit Integration Through Wafer Bonding"的共同待决的美国专利申请号 11/701, 314有关，该专利申请在此引入以供参考。
技术介绍
随着传统的高性能集成电路芯片被制造得越来越小，减小的形状因 子会导致在这些较小的器件中的功率密度的提高。因而，高性能集成电 路芯片可以产生大量的热，这种热可以不利地影响所述器件的操作和性 能。已经开发了许多传统的解决方案来帮助从高性能集成电路芯片中 排热。例如，散热器和风扇已经被直接附接到集成电路芯片。然而，散 热器和风扇可能需要较大，以提供有效的冷却，并且可能与移动计算解 决方案不兼容。另一种传统的解决方案是将热电冷却器耦合到集成电路 芯片，但是这种解决方案可能是昂贵的。又一种传统的解决方案涉及流 体冷却方案，但是通常这样的方案不能足够有效地排出所需要的所产生热量。因此，期望解决上述问题的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种系统（５００），包括：　第一晶片（１０４）；以及　第二晶片（１０２），其中，所述第一晶片和所述第二晶片通过晶片结合工艺被结合在一起，所述晶片结合工艺在所述第一晶片和所述第二晶片之间形成间隙（１２８），所述间隙被配置为容纳排热 材料（５３０）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：P哈特威尔，D斯图尔特，
申请(专利权)人：惠普开发有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]