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在晶片结合间隙中形成的芯片冷却通道制造技术
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下载在晶片结合间隙中形成的芯片冷却通道的技术资料
文档序号:4464405
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根据本发明的一个实施例是一种系统(500),其可以包括第一晶片(104)以及第二晶片(102)。所述第一晶片和所述第二晶片通过晶片结合工艺被结合在一起,所述晶片结合工艺在所述第一晶片和所述第二晶片之间形成间隙(128)。所述间隙被配置为容纳...
该专利属于惠普开发有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过惠普开发有限公司授权不得商用。
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