【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体光电领域，尤其涉及一种深紫外发光二极管器件。
技术介绍
1、在紫外线中，波长在200纳米至350纳米的光线被称为深紫外线。algan基紫外发光二极管（light emitting diode，led）器件因为其在空气净化、杀菌消毒、紫外光疗、生化检测、保密通信等领域的广泛应用前景而受到持续关注。然而，现有的紫外led器件存在以下几个问题：第一，现有的紫外led器件的光提取效率低、电压偏高，其光电转换效率低；第二，现有的紫外led器件因不适配的电极结构与电极版图设计会导致其局部电流拥堵，一方面局部过热将会引起金属的电迁移、材料老化等，加速器件退化并导致芯片失效，另一方面会导致紫外led器件发光不均匀，光输出功率下降。
2、因此，亟需一种深紫外发光二极管器件以解决上述技术问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于，提供一种深紫外发光二极管器件，用于改善现有技术的深紫外发光二极管因局部电流拥堵导致光提取功率较低的技术问题。
2、为解决上述技术问题，本技术提...
【技术保护点】
1.一种深紫外发光二极管器件，其特征在于，包括开设有凹部的MESA台面层，所述凹部包括多个沿第一方向交错排列的凹槽组，所述凹槽组包括沿第二方向间隔设置的第一子凹槽以及第二子凹槽，所述第一子凹槽或者所述第二子凹槽的底面对应设置有N型接触子电极，多个所述N型接触子电极形成N型电极区域；
2.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管器件，其特征在于，任意两个所述N型接触子电极的最短间距小于或者等于所述深紫外发光二极管器件的电流扩展长度。
3.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管器件，其特征在于，所述N型接触子电极在所述MESA台面层上的正投影形状为圆形或
...【技术特征摘要】
1.一种深紫外发光二极管器件，其特征在于，包括开设有凹部的mesa台面层，所述凹部包括多个沿第一方向交错排列的凹槽组，所述凹槽组包括沿第二方向间隔设置的第一子凹槽以及第二子凹槽，所述第一子凹槽或者所述第二子凹槽的底面对应设置有n型接触子电极，多个所述n型接触子电极形成n型电极区域；
2.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管器件，其特征在于，任意两个所述n型接触子电极的最短间距小于或者等于所述深紫外发光二极管器件的电流扩展长度。
3.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管器件，其特征在于，所述n型接触子电极在所述mesa台面层上的正投影形状为圆形或者类椭圆形。
4.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管器件，其特征在于，相邻两所述凹槽组的中心间距相等；所述第一子凹槽沿所述第二方向的长度为d1，所述第二子凹槽沿所述第二方向的长度为d2，d1≥3d2。
5.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管器件，其特征在于，所述n型接触子电极与所述mesa台面层的边缘线宽间距为3~10um。
6.根据权利要求1所述的深紫外发光二极...
【专利技术属性】
技术研发人员：张爽，戴江南，陈长清，
申请(专利权)人：苏州优炜芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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