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本技术提供一种深紫外发光二极管器件，包括开设有凹部的MESA台面层，凹部包括多个沿第一方向交错排列的凹槽组，凹槽组包括沿第二方向间隔设置的第一子凹槽以及第二子凹槽，第一子凹槽或者第二子凹槽的底面对应设置有N型接触子电极，多个N型接触子电极形...
该专利属于苏州优炜芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州优炜芯科技有限公司授权不得商用。

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