【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种超结(superjunction，sj)器件的制造方法。
技术介绍
1、相比现有传统vdmos，现有超结mosfet由于其优良的器件特性已经广泛应用在各种电子电力领域。由于超结mosfet结构中特殊的n柱(pillar)即n型柱和p柱也即p型柱相互补偿，使其可以在较浓n型外延层(nepi)外延浓度下实现高的击穿电压。因此具有超越si极限的低导通电阻和高击穿电压。
2、现有超结mosfet器件有两种主要制造工艺，一种是通过多次外延淀积和光刻，累积形成相互间隔的p型区域即p型柱和n型区域即n型柱，一种是在一个厚的n外延层上通过深沟槽和沟槽填充形成p型柱，从而形成相互间隔的p型区域和n型区域。现有的深沟槽技术中，为了使得深沟槽p型柱的平坦化工艺能很好的实施，通常将p型柱的形成工艺置于多晶硅如栅极结构的多晶硅形成的工艺之前，同时，也有时会把p型阱的工艺，放置在p型柱形成之后。这样，就造成了p型柱和n型柱在沟槽的p型柱形成之后，再经过栅氧工艺，和其他高温工艺的热过程，造成p型柱杂...
【技术保护点】
1.一种超结器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的超结器件的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底的材料包括硅，所述第一外延层的材料包括硅，所述第二外延层的材料包括硅。
3.如权利要求1所述的超结器件的制造方法，其特征在于：形成所述沟槽栅的分步骤包括：
4.如权利要求3所述的超结器件的制造方法，其特征在于：所述栅极导电材料层的材料包括多晶硅。
5.如权利要求3所述的超结器件的制造方法，其特征在于：在所述第一次化学机械研磨工艺之前或之后，还包括：
6.如权利要求1所述的超结器件的制造方...
【技术特征摘要】
1.一种超结器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的超结器件的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底的材料包括硅，所述第一外延层的材料包括硅，所述第二外延层的材料包括硅。
3.如权利要求1所述的超结器件的制造方法，其特征在于：形成所述沟槽栅的分步骤包括：
4.如权利要求3所述的超结器件的制造方法，其特征在于：所述栅极导电材料层的材料包括多晶硅。
5.如权利要求3所述的超结器件的制造方法，其特征在于：在所述第一次化学机械研磨工艺之前或之后，还包括：
6.如权利要求1所述的超结器件的制造方法，其特征在于：所述阱区的退火的温度的最大值达1100℃以上，时间达30分钟以上。
7.如权利要求1所述的超结器件的制造方法，其特征在于：在进行所述第二沟槽的光刻工艺之前，还包括：形成硬掩膜层；
8.如权利要求7所述的超结器件的制造方法，其特征在于：所述硬掩膜层包括依次叠加的底部二氧化硅层、中间氮化硅层和顶部二氧化硅层；
9.如权利要求1所述的超结器件的制造方法，其特征在于：所述后续正面工艺包括：
...【专利技术属性】
技术研发人员：干超，范雨婷，刘风采，曾大杰，肖胜安，
申请(专利权)人：深圳尚阳通科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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