一种阵列基板制作方法及低温多晶硅液晶显示面板技术

本申请公开了一种阵列基板制作方法及低温多晶硅液晶显示面板，方法包括：制作信号线金属层，在信号线金属层上制作第一绝缘层；在第一绝缘层上制作第二绝缘层，在第二绝缘层内制作第一三极管的有源层，并在第二绝缘层开设第一开孔，使金属信号线层通过第一开孔与第一三极管的有源层连接；在第二绝缘层、第三绝缘层开设第二开孔，使得第一三极管的有源层、公共栅极金属层、第二三极管的有源层依次垂直串联连接。通过将阵列基板的三极管的膜层结构中的有源层、公共栅极金属层采用垂直串联连接结构，使得三极管占用的像素面积大大减少，增加了开窗面积，增加了低温多晶硅液晶液晶显示面板的开口率，提高了像素的透过率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及低温多晶硅液晶显示面板的像素结构，特别涉及一种阵列基板制作方法及低温多晶硅液晶显示面板。

技术介绍

1、液晶显示面板被广泛应用于各种显示领域。液晶显示面板一般包括有阵列基板、彩膜基板及填充在阵列基板以及彩膜基板之间的液晶层。阵列基板和彩膜基板的至少一者上形成有像素电极和公共电极，施加电压在像素电极和公共电极间形成电场，通过控制电场强度的变化调制液晶分子的取向角度，从而使背光源的光透过率发生变化。

2、根据具体的原理不同，液晶显示面板由早期的tn(twisted nematic，tn)模式发展到现在的va模式以及ips(in-plane switching，ips)模式。

3、在垂直排列(multi-domain vertical alignment，mva)模式中，液晶分子在液晶盒中依靠取向膜层的表面锚定能的作用竖直排列于液晶层中。当液晶层上下两侧的氧化铟锡ito极板上施加外置偏压，在液晶层中形成电场，液晶分子会在电场作用下发生偏转，配合偏光片和背光源的设置而产生了光程差，获得不同的透射率，并因此可以显示成像。va模式本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种阵列基板制作方法，特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤100包括：

3.根据权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤100还包括：

4.根据权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤200包括：

5.根据权利要求4所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤220包括：

6.根据权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤300包括：

7.根据权利要求6所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤320包括：</p>

8.根据...

【技术特征摘要】

1.一种阵列基板制作方法，特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤100包括：

3.根据权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤100还包括：

4.根据权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤200包括：

5.根据权利要求4所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤220包括：

6.根据权利要求1所述的阵列基板制...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘福知，曹仁辉，李岩，
申请(专利权)人：信利仁寿高端显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：