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本发明公开了一种超结器件的制造方法，包括：生长第一外延层。在第一外延层中形成多个沟槽栅，沟槽栅的栅极沟槽外的栅极导电材料层都被去除，栅极沟槽内的栅极导电材料层顶部表面平整，用以保证实现后续第二沟槽的形成工艺。形成阱区并进行退火。进行光刻和刻...
该专利属于深圳尚阳通科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳尚阳通科技股份有限公司授权不得商用。

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