功率半导体器件和包括该功率半导体器件的功率转换器制造技术

一种功率半导体器件，包括基板、设置在基板上的第一导电型第一外延层、设置在第一导电型第一外延层上的第一导电型第二外延层、设置在第一导电型第二外延层上的第二导电型第一阱、设置在第二导电型第一阱上的第一导电型源极区域、设置在沟槽区域的底部和侧壁上的栅极绝缘层、设置在沟槽中的栅极绝缘层上的沟槽栅极、设置在第一导电型第二外延层上并与栅极绝缘层间隔开的第二导电型第二阱、以及连接第二导电型第一阱和第二导电型第二阱的第二导电型离子注入连接区域，沟槽区域中移除了第一导电型源极区域、第二导电型第一阱和第一导电型第二外延层的一部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率半导体器件、功率半导体模块、功率转换器及其制造方法。

技术介绍

1、功率半导体是决定功率电子系统的效率、速度、耐久性和可靠性的关键元件之一。

2、近年来，随着电力电子工业的发展，以前使用的硅(si)功率半导体已经达到其物理极限。为了取代硅功率半导体，正在积极地对诸如碳化硅(sic)和氮化镓(gan)的wbg(宽带隙)功率半导体进行研究。

3、wbg功率半导体器件的带隙能量约为si功率半导体器件的带隙能量的三倍。因此，wbg功率半导体器件具有低本征载流子浓度、高击穿电场(约4至20倍)、高热导率(约3至13倍)和大电子饱和率(约2至2.5倍)的特性。

4、这些特性使其能够在高温和高压环境中工作，并且具有高开关速度和低开关损耗。其中，氮化镓(gan)功率半导体器件可用于低压系统，碳化硅(sic)功率半导体器件可适用于高压系统。

5、现有技术的sic mosfet功率半导体通常表示为具有垂直扩散结构的vdmosfet，并且也可以简单地表示为双扩散结构dmosfet。另外，根据沟道的方向，sic m本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，当向所述第二导电型第一阱施加接地电位时，通过所述第二导电型离子注入连接区域也向所述第二导电型第二阱施加接地电位。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述第二导电型第二阱设置在沟槽下方，并且沿着沟槽区域以连续形式布置。

4.根据权利要求3所述的功率半导体器件，其中，所述第二导电型第二阱布置成在第一方向Y上水平延伸，所述第一方向Y是所述沟槽栅极的延伸方向，

5.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其中，所述第二导电型离子注入连接区域被配置为连接在所述第一方...

【技术特征摘要】

1.一种功率半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，当向所述第二导电型第一阱施加接地电位时，通过所述第二导电型离子注入连接区域也向所述第二导电型第二阱施加接地电位。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述第二导电型第二阱设置在沟槽下方，并且沿着沟槽区域以连续形式布置。

4.根据权利要求3所述的功率半导体器件，其中，所述第二导电型第二阱布置成在第一方向y上水平延伸，所述第一方向y是所述沟槽栅极的延伸方向，

5.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其中，所述第二导电型离子注入连接区域被配置为连接在所述第一方向y上水平布置同时在所述第二方向x上间隔开的所述第二导电型第二阱，并且被布置为在垂直于所述第一方...

【专利技术属性】
技术研发人员：李祜仲，金珍坤，李在德，李忠光，
申请(专利权)人：LX半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：