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一种功率半导体器件，包括基板、设置在基板上的第一导电型第一外延层、设置在第一导电型第一外延层上的第一导电型第二外延层、设置在第一导电型第二外延层上的第二导电型第一阱、设置在第二导电型第一阱上的第一导电型源极区域、设置在沟槽区域的底部和侧壁上...
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