存储器阵列及其制备方法、存储器、电子设备技术

本申请提供一种存储器阵列及其制备方法、存储器、电子设备，涉及电子技术领域，用于简化存储器阵列的制备工艺，提高存储器阵列的集成度，同时改善存储器阵列的性能。该存储器阵列包括至少一个堆栈结构，堆栈结构包括多个栅极层、多个半导体层、第二极、栅介质层和绝缘层。其中，多个栅极层和多个半导体层交替堆叠设置，半导体层包括浮体和围绕浮体设置的第一极；第二极贯穿栅极层和浮体；栅介质层位于任意相邻的栅极层和半导体层之间，及栅极层和第二极之间；每相邻的一个栅极层和一个半导体层形成一个膜层对，绝缘层设置于相邻两个膜层对之间。该存储器阵列用于存储数据。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电子，尤其涉及一种存储器阵列及其制备方法、存储器、电子设备。

技术介绍

1、随着人工智能、大数据、大模型的蓬勃发展，人们对各种活动中产生的数据越来越重视，可通过分析这些数据获取想要的信息，如通过分析用户在购物网站中搜索数据、浏览数据、购买数据等刻画特定用户的人物画像，从而实现精确的广告投放，提高用户体验的同时提高广告的成交转化率；又如，获取某一城市的地铁、公交车、共享单车等乘用信息，可优化地铁、公交车的线路规划、同一路线的发车时间间隔以及共享单车的投放等。显然，为了实现较好的效果，仅仅依靠人工智能、大数据、大模型在算法方面的创新远远不够，还需要提供海量的数据，并对这些数据进行分析。在对这些数据进行分析时，需要将这些数据存储在计算机的内存或者缓存中以提高运算速度。

2、按照易失性，存储器分为易失性(volatile)存储器和非易失性(non-volatile)存储器。易失性存储器通常用作内存或缓存，非易失性存储器通常用作外存。易失性存储器是指当电流或电压中断后，所存储的信息便会消失的存储器，而非易失性存储器断电后则不会。动态随机存取存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器阵列，其特征在于，包括至少一个堆栈结构，所述堆栈结构：

2.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于，所述膜层对中的所述栅极层相比所述半导体层远离所述存储器阵列的下表面，或，所述膜层对中的所述半导体层相比所述栅极层远离所述存储器阵列的下表面。

3.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于，任意相邻两个所述膜层对之间均设置有所述绝缘层。

4.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于，所述绝缘层与所述半导体层接触。

5.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于，沿垂直于所述存储器阵列的下表面的方向，所述绝缘层至少与所述浮体重叠。<...

【技术特征摘要】

1.一种存储器阵列，其特征在于，包括至少一个堆栈结构，所述堆栈结构：

2.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于，所述膜层对中的所述栅极层相比所述半导体层远离所述存储器阵列的下表面，或，所述膜层对中的所述半导体层相比所述栅极层远离所述存储器阵列的下表面。

3.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于，任意相邻两个所述膜层对之间均设置有所述绝缘层。

4.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于，所述绝缘层与所述半导体层接触。

5.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于，沿垂直于所述存储器阵列的下表面的方向，所述绝缘层至少与所述浮体重叠。

6.如权利要求1-5中任一项所述的存储器阵列，其特征在于，所述栅极层到所述第二极的距离大于所述栅极层到所述浮体的距离。

7.如权利要求6所述的存储器阵列，其特征在于，所述堆栈结构还包括：第一间隔部，设置于所述第二极与所述栅极层之间。

8.如权利要求7所述的存储器阵列，其特征在于，所述第一间隔部与所述栅介质层的材料相同，且与所述栅介质层一体设置。

9.如权利要求1-8中任一项所述的存储器阵列，其特征在于，所述栅极层远离所述第二极的边界与所述第二极之间的距离，小于所述第一极远离所述第二极的边界与所述第二极之间的距离。

10.如权利要求9所述的存储器阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦广泛，景蔚亮，王正波，廖恒，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：