【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳电池，特别是涉及一种太阳电池及其掺杂方法、制备方法。
技术介绍
1、目前，太阳电池的制备工艺日趋成熟，已经能够实现标准化生产。其中，太阳电池的主要制备工艺如下：硅片制绒、掺杂、碱抛、镀膜以及丝网印刷及烧结。
2、其中，掺杂主要包括扩散工序和激光掺杂工序。其中，扩散工序主要是为了制备能够将太阳光能转换为电能的p-n结。具体地，通过向高温扩散炉中通入三氯氧磷和氧气，使其反应形成掺杂源—磷单质，磷单质再通过高温扩散进入硅片形成p-n结。其中，p-n结内的磷源掺杂，我们称之为体掺杂，而整个扩散工艺的过程中磷单质并未完全扩散进硅片，表面还残留多余的磷单质，我们称之为表面掺杂。其中，较低的表面浓度和较高的体掺杂浓度能够提升voc和ff，从而提升太阳电池的转换效率，因此开发新的扩散工艺是非常必要的。
3、另外，激光掺杂工序主要是在金属电极与硅片接触部位进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。具体地，利用激光能量对磷硅玻璃层熔融以形成重掺区域，既降低了硅片基体与正面金属电极间的接触电阻，又降低了表面扩...
【技术保护点】
1.一种太阳电池的掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的太阳电池的掺杂方法，其特征在于，对氧化后的硅片进行磷扩散包括以下步骤：
3.如权利要求1所述的太阳电池的掺杂方法，其特征在于，对所述磷扩散后的硅片进行推进包括以下步骤：
4.如权利要求1所述的太阳电池的掺杂方法，其特征在于，所述掺杂方法包括以下(e1)～(e6)中的至少一项：
5.如权利要求1所述的太阳电池的掺杂方法，其特征在于，所述氧化后的硅片的制备方法包括以下步骤：
6.如权利要求5所述的太阳电池的掺杂方法，其特征在于，在对所述...
【技术特征摘要】
1.一种太阳电池的掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的太阳电池的掺杂方法，其特征在于，对氧化后的硅片进行磷扩散包括以下步骤：
3.如权利要求1所述的太阳电池的掺杂方法，其特征在于，对所述磷扩散后的硅片进行推进包括以下步骤：
4.如权利要求1所述的太阳电池的掺杂方法，其特征在于，所述掺杂方法包括以下(e1)～(e6)中的至少一项：
5.如权利要求1所述的太阳电池的掺杂方法，其特征在于，所述氧化后的硅片的制备方法包括以下步骤：
6.如权利要求5所述的太阳电池的掺杂方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：齐利娜，周永安，魏乾龙，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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