芯片、电子设备及芯片制作方法技术

一种芯片、电子设备及芯片制作方法，旨在解决芯片的面积较大的问题。该芯片中，上拉管设置在器件层内，器件层采用前道工艺制作；下拉管和选通管设置在金属互联层内，金属互联层采用后道工艺制作；与上拉管、选通管以及下拉管均采用前道工艺制作相比，可以减小前道工艺制作的器件数量，减小了器件层的面积，进而减小了芯片的面积。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及存储设备，具体涉及一种芯片、电子设备及芯片制作方法。

技术介绍

1、高速缓存(cache)是芯片中介于处理器(如central processing unit简称cpu)和内存间的存储设备，一般包括静态随机存取存储器(sram)；该存储器和芯片中的逻辑电路均采用前道工艺制作，导致芯片的面积较大。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种芯片、电子设备及芯片制作方法，可以减小芯片的面积。

2、第一方面，本申请实施例提供一种芯片，包括：基底、器件层以及金属互联层；器件层设置在基底上，器件层包括逻辑电路，器件层被配置为在前道工艺制作；金属互联层层叠地设置在器件层背离基底的一侧，金属互联层被配置为在后道工艺制作；芯片还包括静态随机存储器，静态随机存储器包括：选通管、上拉管以及下拉管，上拉管设置在器件层内，选通管、下拉管设置在金属互联层内。

3、通过上述设置，上拉管设置在器件层内，器件层采用前道工艺制作；下拉管和选通管设置在金属互联层内，金属互联层采用后道工艺制作；与上拉管、选通管本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述金属互联层包括层叠设置的第一金属互联层和第二金属互联层，所述第一金属互联层位于所述第二金属互联层和所述器件层之间；所述选通管、所述下拉管设置在所述第一金属互联层和所述第二金属互联层内。

3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述选通管包括第一选通管和第二选通管，所述上拉管包括第一上拉管和第二上拉管，所述下拉管包括第一下拉管和第二下拉管；所述静态随机存储器包括存储单元，所述存储单元用于存储数据，所述存储单元为6T存储单元，所述存储单元包括：所述第一选通管、所述第二选通管、所述第一上拉...

【技术特征摘要】

1.一种芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述金属互联层包括层叠设置的第一金属互联层和第二金属互联层，所述第一金属互联层位于所述第二金属互联层和所述器件层之间；所述选通管、所述下拉管设置在所述第一金属互联层和所述第二金属互联层内。

3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述选通管包括第一选通管和第二选通管，所述上拉管包括第一上拉管和第二上拉管，所述下拉管包括第一下拉管和第二下拉管；所述静态随机存储器包括存储单元，所述存储单元用于存储数据，所述存储单元为6t存储单元，所述存储单元包括：所述第一选通管、所述第二选通管、所述第一上拉管、所述第二上拉管、所述第一下拉管以及所述第二下拉管。

4.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述第一选通管和所述第二选通管位于所述第二金属互联层内，所述第一下拉管和所述第二下拉管位于所述第一金属互联层内。

5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，同一所述存储单元中，所述第一上拉管的栅极与所述第二上拉管的栅极平行且间隔的设置，所述第一上拉管的栅极向所述第二上拉管延伸，并且所述第一上拉管的栅极与所述第二上拉管的电极之间通过第一接触结构连接；所述第二上拉管的栅极向所述第一上拉管延伸，并且所述第二上拉管的栅极与所述第一上拉管的电极之间通过第二接触结构连接。

6.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述第一下拉管的栅极和所述第二下拉管的栅极平行且间隔的设置，所述第一下拉管的栅极靠近所述第二下拉管的一端通过第三接触结构与所述第二下拉管的电极连接，所述第二下拉管的栅极靠近所述第一下拉管的一端通过第四接触结构连接。

7.根据权利要求6所述的芯片，其特征在于，所述第一选通管的电极通过第六接触结构与所述第四接触结构连接，所述第四接触结构还与所述第二接触结构连接，第一存储节点包括：所述第六接触结构、所述第四接触结构以及所述第二接触结构；所述第二选通管的电极通过第七接触结构与所述第三接触结构连接，所述第三接触结构还与所述第一接触结构连接，第二存储节点包括：所述第七接触结构、所述第三接触结构以及所述第一接触结构。

8.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，多个所述存储单元中的各所述第一选通管的栅极为一体结构，多个所述存储单元中的各所述第二选通管的栅极为一体结构，多个所述存储单元中至少一个所述第一选通管的栅极与至少一个所述第二选通管的栅极连接，并且与字线连接。

9.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，同一所述存储单元中，所述第一选通管和所述第二选通管的栅极平行且间隔的设置，所述第二金属互联层内还设置有第一连接部，所述第一选通管的栅极靠近所述第二选通管的一端与所述第二选通管的栅极靠近所述第一选通管的一端通过所述第一连接部连接，所述第一连接部与字线连接。

10.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，同一所述存储单元中，所述第一选通管的栅极和所述第二选通管的栅极为一体结构，所述第二金属互联层内还设置有第二连接部，所述第二连接部位于所述第一选通管和所述第二选通管之间，所述第二连接部与所述第一选通管的栅极连接，并且所述第二连接部与字线连接。

11.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹士杰，吴颖，景蔚亮，殷士辉，金明，韦庆松，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：