一种图像传感器及其制造方法技术

本申请提供一种图像传感器及其制造方法，涉及半导体制造。本申请的图像传感器中的光电感应区可以通过多个掺杂沉积层构成。由此，光电感应区在制备过程无需进行离子植入，避免了离子注入对衬底的破坏。此外，在前述多个掺杂沉积层中底部掺杂沉积层的掺杂离子原子质量较大且在底部掺杂沉积层形成凹槽，而顶部的掺杂沉积层的掺杂离子的原子质量相对更小并填充前述底部掺杂沉积层形成的凹槽。由此，可以通过在底部设置原子质量较高的掺杂离子保证光电感应区的稳定性，同时原子质量较小的掺杂离子可以通过前述凹槽大量填充在掺杂沉积层中，以提供更多的游离电子，提高光电二极管感光时的光电流，从而提高了图像传感器的对光的感知能力。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造，具体涉及一种图像传感器及其制造方法。

技术介绍

1、图像传感器是指将光信号转换为电信号的装置，被广泛应用于摄影摄像、安防系统、智能便携电话、传真机、扫描器以及医疗电子等领域。其中，cmos（互补金属氧化物半导体）传感器是一种广泛使用的图像传感器。

2、随着图像传感器的广泛应用，cmos传感器也不断改进。背照式（back sideillumination，bsi）图像传感器是一种特殊构型的cmos图像传感器，其通过将光敏元件置于芯片的背面，从而允许光线直接照射到光敏层，提高了光的接收效率和图像质量。

3、在传统bsi制程里面，在前端制程要用高能量的离子植入来形成光电感应区，这一方式会造成损伤（衬底表面的损伤）并且造成串扰（cross talk）不理想效应。因此，如何优化bsi传感器的光电感应区的结构与制成是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请实施例提供了一种图像传感器及其制造方法，通过气相沉积形成光电感应区域的掺杂层，而无需对衬底进本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二掺杂沉积层包括平顶掺杂子层以及至少一个中间掺杂子层；

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述第一掺杂沉积层被配置为锑掺杂硅沉积层，所述平顶掺杂子层被配置为锑掺杂硅沉积层，所述至少一个中间掺杂子层包括砷掺杂硅沉积层以及磷掺杂硅沉积层，所述磷掺杂硅沉积层靠近所述第一掺杂沉积层。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述感光区隔离结构包括靠近所述隔离层的金属反光层，所述第一掺杂沉积层覆盖所述金属反光层。</p>

5.根据...

【技术特征摘要】

1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二掺杂沉积层包括平顶掺杂子层以及至少一个中间掺杂子层；

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述第一掺杂沉积层被配置为锑掺杂硅沉积层，所述平顶掺杂子层被配置为锑掺杂硅沉积层，所述至少一个中间掺杂子层包括砷掺杂硅沉积层以及磷掺杂硅沉积层，所述磷掺杂硅沉积层靠近所述第一掺杂沉积层。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述感光区隔离结构包括靠近所述隔离层的金属反光层，所述第一掺杂沉积层覆盖所述金属反光层。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一掺杂沉积层包括靠近所述感光区隔离结构的侧壁残留区域以及远离所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维邦，
申请(专利权)人：晶芯成北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：