【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及图像传感器领域，特别涉及一种贯穿结构、图像传感器和图像传感器的形成方法。
技术介绍
1、cmos图像传感器是现代图像捕捉技术的核心组件，它结合了低功耗逻辑电路与高品质像素工艺，能够将外界的光信号转化为数字电信号。但在高分辨率和小型化需求的推动下，如何压缩cmos图像传感器的尺寸以及尺寸压缩后如何保持各结构之间的连接性能成为亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种贯穿结构、图像传感器和图像传感器的形成方法，至少有利于减小cmos图像传感器的尺寸以及保持各结构之间的连接性能。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种贯穿结构，包括：
3、中心结构；
4、环绕结构，环绕结构环绕中心结构；
5、环绕结构由交替设置的第一部分和第二部分环绕构成，至少第一部分具有台阶。
6、在一些实施例中，第一部分包括第一台阶结构和第二台阶结构，第一台阶结构包围部分中心结构，第二台阶结构包围第一台阶结构，中心结构...
【技术保护点】
1.一种贯穿结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的贯穿结构，其特征在于，所述第一部分包括第一台阶结构和第二台阶结构，所述第一台阶结构包围部分所述中心结构，所述第二台阶结构包围所述第一台阶结构，所述中心结构的底面与所述第一台阶结构的底面沿垂直方向具有第一高度差，所述第一台阶结构的底面与所述第二台阶结构的底面沿所述垂直方向具有第二高度差，所述第一高度差大于所述第二高度差。
3.根据权利要求2所述的贯穿结构，其特征在于，所述中心结构的底面低于所述第一台阶结构的底面，所述第一台阶结构的底面低于所述第二台阶结构的底面。
4.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种贯穿结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的贯穿结构，其特征在于，所述第一部分包括第一台阶结构和第二台阶结构，所述第一台阶结构包围部分所述中心结构，所述第二台阶结构包围所述第一台阶结构，所述中心结构的底面与所述第一台阶结构的底面沿垂直方向具有第一高度差，所述第一台阶结构的底面与所述第二台阶结构的底面沿所述垂直方向具有第二高度差，所述第一高度差大于所述第二高度差。
3.根据权利要求2所述的贯穿结构，其特征在于，所述中心结构的底面低于所述第一台阶结构的底面，所述第一台阶结构的底面低于所述第二台阶结构的底面。
4.根据权利要求1所述的贯穿结构，其特征在于，所述第二部分具有台阶，所述第二部分包括第三台阶结构和第四台阶结构，所述第三台阶结构包围部分所述中心结构，所述第四台阶结构包围所述第三台阶结构，所述中心结构的底面与所述第三台阶结构的底面沿所述垂直方向具有第一高度差，所述第三台阶结构的底面与所述第四台阶结构的底面沿所述垂直方向具有第二高度差，所述第一高度差大于所述第二高度差。
5.根据权利要求1所述的贯穿结构，其特征在于，所述第二部分不具有台阶，所述第二部分的底面与所述中心结构的底面平齐。
6.根据权利要求1所述的贯穿结构，其特征在于，所述环绕结构的顶面与所述中心结构的顶面平齐；所述贯穿结构至少包括导电层、介质层和填充层。
7.一种图像传感器，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述第一部分包括第一台阶结构和第二台阶结构，所述第一台阶结构包围部分所述中心结构，所述第二台阶结构包围所述第一台阶结构，所述中心结构的底面与所述第一台阶结构的底面沿垂直于所述第一半导体方向具有第一高度差，所述第一台阶结构的底面与所述第二台阶结构的底面沿垂直于所述第一半导体方向具有第二高度差，所述第一高度差大于所述第二高度差；所述中心结构的底面低于所述第一台阶结构的底面，所述第一台阶结构的底面低于所述第二台阶结构的底面。
9.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述第二部分具有台阶，所述第二部分包括第三台阶结构和第四台阶结构，所述第三台阶结构包围部分所述中心结构，所述第四台阶结构包围所述第三台阶结构，所述中心结构的底面与所述第三台阶结构的底面沿垂直于所述第一半导体方向具有第一高度差，所述第三台阶结构的底面与所述第四台阶结构的底面沿垂直于所述第一半导体方向具有第二高度差，所述第一高度差大于所述第二高度差；所述中心结构的底面低于所述第三台阶结构的底面...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾泽昆，马涛，许志远，尤嘉麟，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。