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一种贯穿结构、图像传感器和图像传感器的形成方法技术
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文档序号:44608980
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本公开实施例涉及图像传感器领域,提供一种一种贯穿结构、图像传感器和图像传感器的形成方法,至少可以包括第一半导体和第二半导体,第一半导体位于第二半导体上;第一半导体具有相对设置的第一面和第二面,第一面位于第二面上方;贯穿结构,贯穿结构由第一面...
该专利属于长鑫科技集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫科技集团股份有限公司授权不得商用。
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