温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供一种图像传感器及其制造方法，涉及半导体制造。本申请的图像传感器中的光电感应区可以通过多个掺杂沉积层构成。由此，光电感应区在制备过程无需进行离子植入，避免了离子注入对衬底的破坏。此外，在前述多个掺杂沉积层中底部掺杂沉积层的掺杂离子原...
该专利属于晶芯成（北京）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶芯成（北京）科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。