背接触电池及光伏组件制造技术

本技术公开了一种背接触电池及光伏组件，背接触电池包括：硅基体，具有相对的正面和背面；第一掺杂晶硅区和第二掺杂晶硅区，均设置在硅基体的背面，第一掺杂晶硅区远离硅基体的第一表面和第二掺杂晶硅区远离硅基体的第二表面均为抛光面；隔离槽，用于隔开第一掺杂晶硅区与第二掺杂晶硅区，隔离槽的底部设有类金字塔的第一绒面结构，类金字塔的塔尖的分布密度为25个/100平方微米‑80个/100平方微米；硅基体的背面包括与第一掺杂晶硅区和第二掺杂晶硅区相对应的叠置区域，叠置区域为抛光面。本技术实施例中，第一表面和第二表面的平整度高，表面粗糙度低，有利于钝化，抛光面的钝化效果显著高于绒面钝化效果。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光伏，尤其涉及一种背接触电池及光伏组件。

技术介绍

1、背接触电池是正、负电极均位于背面的电池。为了获得更高的效率，其中一种方式为采用隧穿氧化层钝化结合掺杂多晶硅来制备具备p型、n型区域的高效的背接触电池。

2、目前，上述背接触电池制备时通常是先制绒，然后对背面进行结区处理，以形成交叉式bc(back contact，背接触)结构。制备得到的背接触电池中掺杂多晶硅区的表面为绒面结构，不同的掺杂多晶硅区之间通过隔离槽隔离。

3、然而，掺杂多晶硅区的表面为绒面结构，会导致后续表面钝化工序中钝化膜层覆盖不足，不能形成优秀的表面钝化，钝化效果较差。另外，通过当前腐蚀工艺形成p型、n型掺杂多晶硅区及隔离槽时，隔离槽的隔离效果及陷光效果较差。

技术实现思路

1、本技术提供一种背接触电池及光伏组件，旨在至少解决现有技术中背接触电池的钝化效果较差的技术问题。

2、第一方面，本技术实施例提供了一种背接触电池，包括：

3、硅基体，具有相对的正面和背面；

4、第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背接触电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，沿背接触电池的厚度方向，所述第一掺杂晶硅区远离所述硅基体的第一表面与所述隔离槽的底部之间的距离为3微米-6微米。

3.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，沿背接触电池的厚度方向，所述第二掺杂晶硅区远离所述硅基体的第二表面与所述隔离槽的底部之间的距离为1微米-5微米。

4.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述隔离槽设置有多个，沿多个所述隔离槽的排布方向，所述隔离槽的宽度为20微米-150微米。

5.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种背接触电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，沿背接触电池的厚度方向，所述第一掺杂晶硅区远离所述硅基体的第一表面与所述隔离槽的底部之间的距离为3微米-6微米。

3.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，沿背接触电池的厚度方向，所述第二掺杂晶硅区远离所述硅基体的第二表面与所述隔离槽的底部之间的距离为1微米-5微米。

4.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述隔离槽设置有多个，沿多个所述隔离槽的排布方向，所述隔离槽的宽度为20微米-150微米。

5.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述隔离槽深入所述硅基体内，且所述隔离槽深入所述硅基体的深度为2.5微米-5....

【专利技术属性】
技术研发人员：童洪波，李振国，刘庆平，董广斌，丁超，张洪超，陈晨，徐新星，王燕增，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：