一种TOPCon电池制备方法技术

本发明专利技术涉及一种TOPCon电池制备方法，其包括：对N型硅衬底进行双面制绒，在正面的绒面上进行硼扩散，形成P+发射极层和硼硅玻璃层；对背面进行抛光，在抛光面上的非金属化区域印刷掩膜层；在N型硅衬底的背面依次沉积隧穿氧化层和掺磷多晶硅层；采用激光对背面的非金属化区域进行扫描，利用碱液去除表面的磷硅玻璃层、掺磷多晶硅层和隧穿氧化层；去除N型硅衬底正面的硼硅玻璃层以及磷硅玻璃层，背面的磷硅玻璃层及非金属化区域残留的隧穿氧化层和掩膜层；在N型硅衬底的正面和背面沉积氧化铝层和氮化硅层；在N型硅衬底的正面和背面金属化区域分别印刷金属电极，得到TOPCon电池。本申请具有减小N型硅衬底被破坏的可能性、提升电池整体效率的效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池的，尤其是涉及一种topcon电池制备方法。

技术介绍

1、topcon(tunneloxidepassivatingcontact)为n型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层厚掺杂多晶硅层，二者共同形成了钝化接触结构。

2、现已有公布号为cn118380508a的中国专利技术专利，其公开了一种太阳能电池及其制备方法，采用激光对硅片背面对应非金属化区域的位置进行处理，去除此区域的磷掺杂多晶硅层表面的磷硅玻璃层或将此区域的磷掺杂多晶硅层表面的磷硅玻璃层改性为疏松的结构，并碱洗去除正面及侧面的多晶硅绕镀层，同时去除背面激光照射的非金属化区域残留的磷掺杂多晶硅层和背面隧穿氧化层，并回刻n型硅衬底50nm～5μm确保激光区域的poly完全腐蚀干净，避免激光区域残留的poly导致侧边的poly去除不干净，引起漏电。

3、虽然回刻n型硅衬底可以保证激光区域poly去除干净，但是对硅衬底进行了减薄，同时对激光区域下硅衬底塔基进行了破坏，容易形成小塔基堆叠或塔基变大，从而影响了后续的钝化效果，进而无法最大化的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种TOPCon电池制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层的厚度为5～100nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用碱洗方法对所述N型硅衬底的背面进行抛光。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为50～200nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为1～3nm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用碱液将表面的磷硅玻璃层、掺磷多晶硅层和隧穿氧化层去除中的碱液的浓度为3～50％，处理时间200～400s...

【技术特征摘要】

1.一种topcon电池制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层的厚度为5～100nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用碱洗方法对所述n型硅衬底的背面进行抛光。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为50～200nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为1～3nm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用碱液将表面的磷硅玻璃层、掺磷多晶硅层和隧穿氧化层去除中的碱液的浓度为3～50％，处理时间200～400s。

7.根据权利要求1所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：捷泰新能源科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：