【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，尤其涉及一种tbc电池的制备方法及电池。
技术介绍
1、随着全球对清洁能源需求的不断增长，太阳能电池技术得到了迅猛发展。目前主流的topcon太阳能电池在技术发展过程中逐渐接近其理论极限，在此背景下，背接触电池技术作为一种极具潜力的技术路线脱颖而出，被广泛认为是下一代主流电池技术的重要发展方向。
2、tbc太阳能电池是一种新型电池结构，它将topcon技术与ibc技术相结合，具有独特的结构优势，其正面无金属栅线遮挡，这一特性使得电池能够最大限度地吸收太阳光，从而产生更多的电子空穴对，进而具备较高的光电转换效率。然而，tbc电池在制备过程中面临着诸多挑战。
3、为了实现电池的高性能，tbc电池需要在背面需要制备互相隔离的p+掺杂多晶硅和n+掺杂多晶硅钝化区域。目前，行业内普遍采用的制备方法主要包括两种：一是制备掩膜来实现多晶硅的选择性掺杂；二是通过激光开膜和化学刻蚀技术，先去除硼/磷掺杂多晶硅区域的掺杂多晶硅层，然后进行多晶硅层的二次沉积以及硼或磷的掺杂，以形成期望的电池背面结构。然而，这些传统方法存在明显的缺陷，制备掩膜以及多晶硅多次刻蚀与沉积等操作，不仅增加了设备投入成本，还导致整个工艺流程变得极为复杂，限制了tbc电池的大规模商业化应用。
技术实现思路
1、本申请就是针对上述问题，弥补现有技术的不足，提供一种tbc电池的制备方法及电池，采用带有图案的局域镂空的板式cvd工艺进行多晶硅的选择性掺杂，避免了掩膜的制备以及多晶硅多次刻
2、本申请的技术方案为：
3、一种tbc电池的制备方法，包括如下步骤：
4、s1：对n型硅片进行碱抛光处理；
5、s2：采用板式cvd工艺在硅片背面制备氧化层和多晶硅层；
6、s3：采用带有图案的局部镂空板式cvd工艺对硅片背面进行区域选择性硼掺杂，形成硼掺杂多晶硅层以及bsg层；
7、s4：采用带有图案的局部镂空的板式cvd工艺对硅片背面进行区域选择性磷掺杂，形成磷掺杂多晶硅层和psg层；
8、s5：在硅片背面硼掺杂区和磷掺杂区的交接区，进行激光开膜处理，去除相应区域的bsg层和psg层，形成掺杂多晶硅层的隔离区；
9、s6：对硅片进行后制绒工艺，在硅片正面和掺杂多晶硅层的隔离区区域形成绒面，同时去除硅片硼掺杂区域和磷掺杂区域的bsg层和psg层；
10、s7：对硅片进行双面沉积钝化膜，对硅片采用pecvd工艺制备减反射膜；
11、s8：对硅片进行丝网印刷，烧结和光注入。
12、进一步地，所述s1中，碱抛光的温度为60℃～80℃。
13、进一步地，所述s2中，氧化层的厚度为1nm～3nm，多晶硅层的厚度为80nm～300nm。
14、进一步地，所述s3中，硼掺杂的温度为800℃～1100℃，硼源的流量为200sccm～1100sccm，bsg层的厚度为40nm～120nm，多晶硅的硼掺杂浓度为1e19cm-3～1e20cm-3。
15、进一步地，所述s4中，磷掺杂的温度为600℃～800℃，磷源的流量为100sccm～1100sccm，psg层的厚度为40nm～120nm，多晶硅的磷掺杂浓度为1.5e20cm-3～3e20cm-3。
16、进一步地，所述s5中，激光开膜工艺的激光功率为30w～80w，光斑直径为100μm～150μm，频率为100khz～500khz，光斑重叠率为40％～80％。
17、进一步地，所述s6中，后制绒工艺包含制绒和酸洗处理，其中制绒温度为60℃～80℃，酸洗处理为采用hf的水溶液，hf的体积浓度为10％～35％。
18、进一步地，所述s7中，钝化膜为alox膜，膜厚为5nm～30nm。
19、进一步地，所述s7中，减反射膜为sinx膜，膜厚为50nm～150nm。
20、本申请还提供了一种tbc电池，所述tbc电池采用前述的制备方法制备得到。
21、相对于现有技术，本专利技术具有以下有益效果：
22、(1)简化工艺流程：本申请采用带有图案的局域镂空的板式cvd工艺进行多晶硅的选择性掺杂，无需制备掩膜以及进行多晶硅多次刻蚀与沉积，因而可以有效简化生成过程中的工艺步骤，在保证良率的情况下进一步的提升生产效率，降低了tbc电池的开发和量产难度，缩短了生产周期，提高了生产能力，降低了生产成本。
23、(2)本申请提供的tbc电池，通过本申请的制备方法制得，具有更高的制备效率和更低的生产成本。
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1.一种TBC电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的TBC电池的制备方法，其特征在于，所述S1中，抛光的温度为60℃～80℃。
3.根据权利要求1所述的TBC电池的制备方法，其特征在于，所述S2中，氧化层的厚度为1nm～3nm，多晶硅层的厚度为80nm～300nm。
4.根据权利要求1所述的TBC电池的制备方法，其特征在于，所述S3中，硼掺杂的温度为800℃～1100℃，硼源的流量为200sccm～1100sccm，BSG层的厚度为40nm～120nm，多晶硅的硼掺杂浓度为1E19 cm-3～1E20cm-3。
5.根据权利要求1所述的TBC电池的制备方法，其特征在于，所述S4中，磷掺杂的温度为600℃～800℃，磷源的流量为100sccm～1100sccm，PSG层的厚度为40nm～120nm，多晶硅的磷掺杂浓度为1.5E20 cm-3～3E20cm-3。
6.根据权利要求1所述的TBC电池的制备方法，其特征在于，所述S5中，激光开膜工艺的激光功率为30W～80W，光斑直径为100μm～1
7.根据权利要求1所述的TBC电池的制备方法，其特征在于，所述S6中，后制绒工艺包含制绒和酸洗处理，其中制绒温度为60℃～80℃，酸洗处理为采用HF的水溶液，HF的体积浓度为10％～35％。
8.根据权利要求1所述的TBC电池的制备方法，其特征在于，所述S7中，钝化膜为AlOx膜，膜厚为5nm～30nm。
9.根据权利要求1所述的TBC电池的制备方法，其特征在于，所述S7中，减反射膜为SiNx膜，膜厚为50nm～150nm。
10.一种TBC电池，其特征在于，所述TBC电池采用权利要求1～9任一项所述的制备方法制备得到。
...【技术特征摘要】
1.一种tbc电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的tbc电池的制备方法，其特征在于，所述s1中，抛光的温度为60℃～80℃。
3.根据权利要求1所述的tbc电池的制备方法，其特征在于，所述s2中，氧化层的厚度为1nm～3nm，多晶硅层的厚度为80nm～300nm。
4.根据权利要求1所述的tbc电池的制备方法，其特征在于，所述s3中，硼掺杂的温度为800℃～1100℃，硼源的流量为200sccm～1100sccm，bsg层的厚度为40nm～120nm，多晶硅的硼掺杂浓度为1e19 cm-3～1e20cm-3。
5.根据权利要求1所述的tbc电池的制备方法，其特征在于，所述s4中，磷掺杂的温度为600℃～800℃，磷源的流量为100sccm～1100sccm，psg层的厚度为40nm～120nm，多晶硅的磷掺杂浓度为1.5e20 cm...
【专利技术属性】
技术研发人员：张理想，
申请(专利权)人：捷泰新能源科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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