一种TBC电池的制备方法及电池技术

本申请具体公开了一种TBC电池的制备方法及电池，涉及太阳能电池技术领域，其制备方法包括：对N型硅片依次进行碱抛光、板式CVD制备氧化层和本征多晶硅、带有图案的局部镂空板式CVD硼掺杂和磷掺杂、激光开膜、后制绒、双面氧化铝钝化和PECVD制备减反射膜、丝网印刷烧结和光注入等步骤。本申请采用带有图案的板式CVD工艺实现多晶硅的选择性掺杂，避免了掩膜制备和多晶硅多次刻蚀与沉积，减少设备投入，简化工艺流程，降低生产成本，提高了TBC电池制备的经济性和效率，在太阳能电池制备领域具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池，尤其涉及一种tbc电池的制备方法及电池。

技术介绍

1、随着全球对清洁能源需求的不断增长，太阳能电池技术得到了迅猛发展。目前主流的topcon太阳能电池在技术发展过程中逐渐接近其理论极限，在此背景下，背接触电池技术作为一种极具潜力的技术路线脱颖而出，被广泛认为是下一代主流电池技术的重要发展方向。

2、tbc太阳能电池是一种新型电池结构，它将topcon技术与ibc技术相结合，具有独特的结构优势，其正面无金属栅线遮挡，这一特性使得电池能够最大限度地吸收太阳光，从而产生更多的电子空穴对，进而具备较高的光电转换效率。然而，tbc电池在制备过程中面临着诸多挑战。

3、为了实现电池的高性能，tbc电池需要在背面需要制备互相隔离的p+掺杂多晶硅和n+掺杂多晶硅钝化区域。目前，行业内普遍采用的制备方法主要包括两种：一是制备掩膜来实现多晶硅的选择性掺杂；二是通过激光开膜和化学刻蚀技术，先去除硼/磷掺杂多晶硅区域的掺杂多晶硅层，然后进行多晶硅层的二次沉积以及硼或磷的掺杂，以形成期望的电池背面结构。然而，这些传统方法存在明显的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种TBC电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的TBC电池的制备方法，其特征在于，所述S1中，抛光的温度为60℃～80℃。

3.根据权利要求1所述的TBC电池的制备方法，其特征在于，所述S2中，氧化层的厚度为1nm～3nm，多晶硅层的厚度为80nm～300nm。

4.根据权利要求1所述的TBC电池的制备方法，其特征在于，所述S3中，硼掺杂的温度为800℃～1100℃，硼源的流量为200sccm～1100sccm，BSG层的厚度为40nm～120nm，多晶硅的硼掺杂浓度为1E19 cm-3～1E20cm-3。

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【技术特征摘要】

1.一种tbc电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的tbc电池的制备方法，其特征在于，所述s1中，抛光的温度为60℃～80℃。

3.根据权利要求1所述的tbc电池的制备方法，其特征在于，所述s2中，氧化层的厚度为1nm～3nm，多晶硅层的厚度为80nm～300nm。

4.根据权利要求1所述的tbc电池的制备方法，其特征在于，所述s3中，硼掺杂的温度为800℃～1100℃，硼源的流量为200sccm～1100sccm，bsg层的厚度为40nm～120nm，多晶硅的硼掺杂浓度为1e19 cm-3～1e20cm-3。

5.根据权利要求1所述的tbc电池的制备方法，其特征在于，所述s4中，磷掺杂的温度为600℃～800℃，磷源的流量为100sccm～1100sccm，psg层的厚度为40nm～120nm，多晶硅的磷掺杂浓度为1.5e20 cm...

【专利技术属性】
技术研发人员：张理想，
申请(专利权)人：捷泰新能源科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：

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