一种GaN功率驱动串扰分析系统技术方案

本发明专利技术涉及半导体与功率变换器领域，具体涉及一种GaN功率驱动串扰分析系统，包括simulink电路建模模块、GUI界面设计模块与联合仿真模块；simulink电路建模模块包括GaN功率开关器件模型的导入、求解器的配置与电路的连接；GUI界面设计模块包括空白GUI界面的创建与GUI界面的设计；联合仿真模块用于实现变量的获取、模型的选择、模型的加载与参数的设置、仿真的执行以及结果的绘制。本发明专利技术基于MATLAB平台，将GUI可视化界面与simulink原理电路图结合起来，在电脑端进行联合仿真，这大大降低了观察和分析GaN HEMT开关器件串扰现象所需的成本，同时节省了工程师在分析串扰现象时所需的时间，提高了工作效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体与功率变换器领域，具体涉及一种gan功率驱动串扰分析系统。

技术介绍

1、近年来，随着科技飞速发展，人们对产品的节能和可靠性要求也越来越高。ganhemt(氮化镓高电子迁移率晶体管)作为一种宽禁带半导体器件，因其开关速度快、导通电阻小和工作温度高、开关损耗小等优势，成为下一代电力电子技术中功率器件需求的有力选择。近年来，很多公司将基于gan开关器件的功率变换器应用于产品中，作为其产品升级换代的重要发展方向。

2、然而，gan hemt器件过高的开关频率、过快的开关速度会导致dv/dt串扰效应非常敏感，增加了gan器件误导通和栅极击穿的风险，进而降低电力电子设备的可靠性。这种串扰现象主要表现为正串扰电压和负串扰电压，其中正串扰电压可能导致开关管误导通，而负串扰电压超过开关管的栅极负压承受范围时，会造成开关管损坏。

3、这种串扰现象还可能会导致以下危害：

4、降低板内信号完整性：串扰现象会影响电路板上信号的传输质量，导致信号在传输过程中发生畸变或衰减，从而影响电路的正常工作。

<p>5、时钟或信号延本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaN功率驱动串扰分析系统，其特征在于，包括simulink电路建模模块、GUI界面设计模块与联合仿真模块；

2.根据权利要求1所述的一种GaN功率驱动串扰分析系统，其特征在于：所述GaN功率开关器件模型的导入通过将ltspice软件里的GaN功率开关模型转换为MATLAB自定义simscape库来实现。

3.根据权利要求2所述的一种GaN功率驱动串扰分析系统，其特征在于：所述求解器的配置是用于配置Simulink仿真的求解器设置的部分；所诉求解器的配置决定仿真过程中时间步长、积分方法方面的计算方式。

4.根据权利要求3所述的一种GaN功率驱动...

【技术特征摘要】

1.一种gan功率驱动串扰分析系统，其特征在于，包括simulink电路建模模块、gui界面设计模块与联合仿真模块；

2.根据权利要求1所述的一种gan功率驱动串扰分析系统，其特征在于：所述gan功率开关器件模型的导入通过将ltspice软件里的gan功率开关模型转换为matlab自定义simscape库来实现。

3.根据权利要求2所述的一种gan功率驱动串扰分析系统，其特征在于：所述求解器的配置是用于配置simulink仿真的求解器设置的部分；所诉求解器的配置决定仿真过程中时间步长、积分方法方面的计算方式。

4.根据权利要求3所述的一种gan功率驱动串扰分析系统，其特征在于：所述电路的连接是将电路器件与gan功率开关器件模型、求解器和输出端口进行连接。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹海洋，刘东尧，孙峰，
申请(专利权)人：中国矿业大学，
类型：发明
国别省市：