一种太阳能电池、光伏组件和半导体基片制造技术

技术编号:44548063 阅读:48 留言:0更新日期:2025-03-11 14:12
本发明专利技术公开了一种太阳能电池、光伏组件和半导体基片,涉及光伏技术领域,以使钝化层对半导体基片具有良好的钝化效果;同时改善掺杂半导体层与电极的接触性能、以及电极的塑形,提升太阳能电池的转换效率。所述太阳能电池包括半导体基片和钝化层。半导体基片具有相对的第一面和第二面。第一面和第二面中的至少一者为目标面。钝化层设置在目标面。钝化层背离半导体基片的一侧具有向钝化层内凹入的多个类塔基状纹理结构。其中,单个类塔基状纹理结构由类多边形底面和侧面围成。在同一类塔基状纹理结构中,类多边形底面的至少一个角上具有多个沿侧面棱线的延伸方向爬升的凸起部,同一角上的多个凸起部具有沿平行于类多边形底面方向延伸的起伏形貌。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏,尤其涉及一种太阳能电池、光伏组件和半导体基片


技术介绍

1、太阳能电池作为绿色能源,对节能减排起着积极的作用。随着光伏行业的发展,太阳能电池技术日益成熟。其中,光伏太阳能电池是将太阳的光能转换为电能的装置。具体的,太阳能电池利用光生伏特原理产生载流子,然后使用电极将载流子引出,从而利于将电能有效利用。太阳能作为一种环保可再生能源,近些年受到了越来越多的关注。相应的,基于光电效应的光伏太阳能电池的应用范围也越来越广。

2、但是,现有的太阳能电池难以兼顾良好的钝化效果、以及良好的电极接触性能和塑形,不利于提升太阳能电池的转换效率。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种太阳能电池、光伏组件和半导体基片,用于使得钝化层对半导体基片具有良好的钝化效果的同时,通过设置在类多边形底面的至少一个角上的凸起部增大钝化层背离半导体基片一侧的表面粗糙度,利于增大钝化层中或形成在钝化层靠近半导体基片一侧的掺杂半导体层的比表面积,改善掺杂半导体层与电极的接触性能、以及电极的塑形,提升太阳能电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,多个所述类塔基状纹理结构包括第一类塔基状纹理结构和第二类塔基状纹理结构;

3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,至少一个所述类塔基状纹理结构中,所述类多边形底面的至少一对所述角上均具有多个所述凸起部;至少一对所述角为所述类多边形底面中呈对角分布的两个所述角。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,同一所述角上的多个所述凸起部具有沿所述类多边形底面方向延伸的折线状起伏形貌或波浪线状起伏形貌。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,多个所述类塔基状纹理结构包括第一类塔基状纹理结构和第二类塔基状纹理结构;

3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,至少一个所述类塔基状纹理结构中,所述类多边形底面的至少一对所述角上均具有多个所述凸起部;至少一对所述角为所述类多边形底面中呈对角分布的两个所述角。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,同一所述角上的多个所述凸起部具有沿所述类多边形底面方向延伸的折线状起伏形貌或波浪线状起伏形貌。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,至少一个所述凸起部呈类三棱柱状、类圆锥状或类圆柱状。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,至少一个所述角上具有的凸起部呈类三棱柱状,且所述凸起部的棱线呈朝向靠近所述半导体基片方向凹入的弧线形。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,单个所述凸起部的高度大于所述凸起部的宽度;所述凸起部的高度方向平行于所述半导体基片的厚度方向,所述凸起部的宽度方向平行于所述类塔基状纹理结构的类多边形底面延伸方向;

8.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,至少一个所述类塔基状纹理结构中,所述类多边形底面的至少一个角上具有沿所述侧面棱线...

【专利技术属性】
技术研发人员:童洪波丁超李文强董广斌何金华
申请(专利权)人:隆基绿能科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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